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MMBD301LT1G.

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厂牌: ON SEMICONDUCTOR
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ON SEMICONDUCTOR  MMBD301LT1G.

MMBD301LT1G.概述

    # Silicon Hot-Carrier Schottky Barrier Diodes: MBD301G Series

    产品简介


    MBD301G 系列是基于硅技术的肖特基势垒二极管,主要设计用于高效超高频(UHF)和甚高频(VHF)检测应用。这些二极管以其极低的少子寿命和超低电容著称,非常适合需要高速切换的射频(RF)和数字应用。它们以经济实惠的塑料封装提供,适用于大批量的消费类和工业/商业需求,同时提供表面贴装选项,为现代电子设计提供了灵活性。
    主要特点
    - 极低少数载流子寿命:15皮秒(典型值),适合快速开关应用。
    - 极低电容:最大值为1.5皮法(@ VR=15V),适于高频率设计。
    - 低反向泄漏电流:典型值为13纳安(@ VR=25V)。
    - 环保认证:无铅、无卤素、无溴化阻燃剂(BFR-Free),符合RoHS标准。
    - 特殊前缀支持:S前缀满足汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用,已通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。
    应用领域
    - UHF/VHF探测器。
    - 高速开关应用。
    - 射频(RF)和数字电路。
    - 消费类及工业电子产品。

    技术参数


    以下是MBD301G系列的技术规格详细说明:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 反向击穿电压 | V(BR)R | 30 | —— | —— | V |
    | 总电容 | CT | —— | 0.9 | 1.5 | pF |
    | 反向漏电流 | IR | —— | 13 | 200 | nA |
    | 正向电压 | VF (IF=1.0 mA) | —— | 0.38 | 0.45 | V |
    | 正向电压 | VF (IF=10 mA) | —— | 0.52 | 0.6 | V |
    | 反向电压 | VR | —— | —— | 30 | V |
    | 正向电流(直流) | IF | —— | —— | 200 | mA |
    | 功耗 | PF | —— | 280 | —— | mW |
    | 工作温度范围 | TJ | -55 | —— | +125 | °C |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55 | —— | +150 | °C |
    注:具体性能可能因测试条件不同而有所变化,参见完整数据表获取详细信息。

    产品特点和优势


    MBD301G 系列以其卓越的性能脱颖而出,主要优势包括:
    - 极高的开关速度:由于其极短的少子寿命(15皮秒),可以实现超快的响应时间。
    - 低功耗设计:超低反向漏电流(典型值13纳安)和低正向电压使其在功率消耗敏感的场景下表现优异。
    - 适用广泛:既可用于消费级电子设备,也能满足工业和汽车级需求。
    - 环保合规:通过AEC-Q101认证,满足全球绿色环保要求,特别适合对材料合规性有严格要求的行业。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    MBD301G 系列常用于以下应用场景:
    1. 射频前端模块:作为检波器和快速开关二极管,适用于无线通信系统。
    2. 便携式设备:如智能手机和平板电脑中的高速数据传输接口。
    3. 汽车电子:S前缀型号支持汽车级应用,广泛应用于车身控制系统和传感器接口。
    使用建议
    为了充分发挥MBD301G系列的优势,在设计中应注意以下几点:
    - 布局优化:确保PCB布线合理,减少寄生电感和电容的影响。
    - 热管理:在高功率运行时,建议加装散热片或采用大尺寸PCB。
    - 环境适应性:选择合适的封装(如SOT-23或TO-92),以适应不同的使用环境。

    兼容性和支持


    MBD301G 系列与多种主流电子设备兼容,且易于集成到现有设计中。此外,ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括:
    - 专业技术咨询。
    - 详细的参考设计指南。
    - 快速响应的客户服务团队。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 反向漏电流过大 | 检查焊接质量和是否存在静电放电。 |
    | 开关速度未达到预期 | 确认设计中无额外寄生元件干扰。 |
    | 温度过高导致器件失效 | 改善散热措施或降低功耗。 |

    总结和推荐


    综上所述,MBD301G 系列是一款高性能、低功耗且环保友好的硅肖特基二极管,非常适合各种高要求的射频和数字应用。其独特的技术优势和广泛的适用性使其在市场上具有强大的竞争力。强烈推荐此系列产品用于需要高效能、高可靠性的电子设计项目。
    如需进一步技术支持或采购咨询,请联系 ON Semiconductor 官方渠道获取更多帮助。

MMBD301LT1G.厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

MMBD301LT1G.数据手册

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ON SEMICONDUCTOR ON SEMICONDUCTOR MMBD301LT1G. MMBD301LT1G.数据手册

MMBD301LT1G.封装设计

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