处理中...

首页  >  产品百科  >  2SA1416T-TD-E

2SA1416T-TD-E

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi PNP晶体管, PCP封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流-1 A, 最大集电极-发射电压-100 V
供应商型号: CY-2SA1416T-TD-E
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) 2SA1416T-TD-E

2SA1416T-TD-E概述


    产品简介




    2SA1416/2SC3646双极型晶体管是一款高性能的单个集成双极型晶体管(PNP/NPN),主要用于低饱和电压的应用场景。这款晶体管具有低饱和电压、高击穿电压和大电流承载能力,适用于多种电子产品和工业控制设备。典型应用场景包括电源管理、电机驱动、信号放大等。


    技术参数




    | 参数名称 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
    |------------------|----------|--------------------|--------------|------|
    | 漏电流(集电极-基极) | ICBO | VCB = (--)100V, IE=0A | (--)100 | nA |
    | 漏电流(发射极-基极) | IEBO | VEB = (--)4V, IC=0A | (--)100 | nA |
    | 直流电流增益(hFE) | hFE | VCE = (--)5V, IC = (--)100mA | 100 400
    | 增益带宽积(fT) | fT | VCE = (--)10V, IC = (--)100mA | 120 | MHz |
    | 输出电容(Cob) | Cob | VCB = (--)10V, f = 1MHz | 8.5 | pF |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | IC = (--)400mA, IB = (--)40mA | (--0.2)0.1 (--0.6)0.4 | V |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | IC = (--)400mA, IB = (--)40mA | (--0.85)(--)1.2 | V |
    | 集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | IC = (--)10μA, IE = 0A | (--120 | V |
    | 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | IC = (--)1mA, RBE = ∞ | (--100 | V |
    | 发射极-基极击穿电压 | V(BR)EBO | IE = (--)10μA, IC = 0A | (--6 | V |


    产品特点和优势




    2SA1416/2SC3646晶体管采用FBET和MBIT工艺,具备以下几个显著的特点和优势:

    - 高击穿电压和大电流承载能力:能够承受较高的电压和较大的电流,适合高功率应用。
    - 快速开关速度:低饱和电压特性使得该晶体管在快速切换应用中表现出色。
    - 超小尺寸:这使得它易于集成到高密度的小型混合集成电路中,提高了设计的灵活性和紧凑性。
    - 分类明确:根据100mA下的hFE分为三个等级(R, S, T),便于不同需求的选择。


    应用案例和使用建议




    该晶体管广泛应用于电源管理和电机驱动系统中,具体如:

    - 电源管理:用于电路中的电源转换和调节,确保稳定可靠的电源输出。
    - 电机驱动:驱动电机的开闭操作,控制电动机的速度和方向。

    在实际应用中,用户需要根据具体的电路要求选择合适的型号。同时,建议在电路设计时注意散热设计,以防止过热现象,确保晶体管在安全的工作温度范围内运行。


    兼容性和支持




    2SA1416/2SC3646晶体管的封装形式包括PCP、SC-62、SOT-89和TO-243,这使其与其他标准接口的电子元件具有良好的兼容性。此外,厂商提供了详细的技术支持文档和使用指南,帮助用户更好地理解和使用该产品。


    常见问题与解决方案




    1. 问:如何判断晶体管是否损坏?
    - 答: 可通过测量其漏电流(ICBO、IEBO)来判断。如果漏电流超过规定范围,则可能损坏。

    2. 问:晶体管长时间使用后发热严重怎么办?
    - 答: 加强散热设计,增加散热片或使用风扇等外部冷却装置。


    总结和推荐




    2SA1416/2SC3646是一款高性能、高可靠性的双极型晶体管,适用于各种高功率应用场景。其低饱和电压、高击穿电压和快速开关速度使其在市场上具有很高的竞争力。经过测试验证,我们强烈推荐在需要高效能、高可靠性的场合下使用该产品。

2SA1416T-TD-E参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 400mV@ 40mA,400mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 400mV@ 40mA,400mA
集电极截止电流 100nA
集电极电流 1A
VEBO-最大发射极基极电压 6V
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 120V
晶体管类型 PNP
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
最大功率耗散 500mW
长*宽*高 4.5mm*2.5mm*1.5mm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

2SA1416T-TD-E厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2SA1416T-TD-E数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR 2SA1416T-TD-E 2SA1416T-TD-E数据手册

2SA1416T-TD-E封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.1431 ¥ 1.2317
1000+ $ 0.1391 ¥ 1.1752
5000+ $ 0.1391 ¥ 1.1752
库存: 938
起订量: 812 增量: 1
交货地:
最小起订量为:500
合计: ¥ 615.85
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1004MP ¥ 0
13001 T ¥ 0.0748
1N4001W ¥ 0.0144
2 N 3904 ¥ 0
2N2102 ¥ 1.9073
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0.0564
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AUA ¥ 310.2704