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SMUN5233T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 1mA,10mA NPN - Pre-Biased 338mW 500nA 50V 100mA 3000 贴片安装 2.1mm*1.24mm*850μm
供应商型号: AV-S-ONSSMUN5233T1G
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) SMUN5233T1G

SMUN5233T1G概述


    产品简介


    本产品系列为数字晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT),主要由单个NPN晶体管及内置的电阻网络构成。此系列产品设计用于替代单独的器件及其外部电阻偏置网络,以简化电路设计,减少板级空间占用并降低组件数量。BRT具有S和NSV前缀,适用于汽车及其他需要独特场地和控制变更要求的应用场合,并符合AEC-Q101认证标准和PPAP能力。
    主要特点
    - 简化电路设计:集成化设计使得电路连接更加简便,无需额外外部电阻网络。
    - 减小板级空间:体积小巧,节省PCB面积。
    - 减少组件数量:一颗器件代替多个分立元件。
    - 符合环保要求:无铅、无卤素且RoHS符合标准。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压:50 Vdc
    - 集电极-发射极电压:50 Vdc
    - 集电极连续电流:100 mAdc
    - 输入正向电压:30 Vdc
    - 输入反向电压:5 Vdc
    - 最大功耗(TA=25°C):取决于封装形式,范围为200 mW到338 mW不等。

    - 热特性
    - 结点到环境的热阻(RθJA):540°C/W至600°C/W
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C

    - 电气特性
    - 在25°C时的关断特性:
    - 集电极-基极截止电流(ICBO):≤100 nA
    - 集电极-发射极截止电流(ICEO):≤500 nA
    - 发射极-基极截止电流(IEBO):≤0.18 mA
    - 开启特性:
    - 直流增益(hFE):80至200
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):≤0.25 Vdc
    - 输入电压(开启):0.9 Vdc
    - 输出电压(开启):0.2 Vdc
    - 输入电阻R1:3.3 kΩ至6.1 kΩ
    - 电阻比R1/R2:0.08至0.12

    产品特点和优势


    BRT的主要特点是简化电路设计,提高集成度,降低成本和减少组件数量。通过将基极电阻和基极-发射极电阻集成到一个单片中,BRT减少了外部元件的需求,从而显著提高了系统的可靠性和稳定性。此外,这些器件还具备环保优势,适用于对无铅和无卤素要求较高的场合,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域:广泛应用于汽车电子、工业自动化、消费电子等领域。
    - 使用建议:
    - 确保安装在足够大的散热片上,特别是在高温环境下使用时。
    - 调整外部电路以适应不同的输入电压和输出负载,确保BRT在最佳状态下运行。
    - 在设计阶段考虑热设计,尤其是在高功耗情况下,以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:BRT具有多种封装形式,如SC-75、SC-70/SOT-323等,能够与不同类型的电路板适配。
    - 支持和服务:ON Semiconductor提供全面的技术支持,包括详尽的产品文档、设计指南和售后支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备无法正常启动
    - 解决方案:检查电源电压是否正确,确保所有接线牢固且无短路。
    - 问题2:过热现象严重
    - 解决方案:确认是否有足够的散热措施,如果需要增加散热片。
    - 问题3:电流过大
    - 解决方案:检查电路是否存在短路情况,调整外部电路配置以降低电流消耗。

    总结和推荐


    综合来看,BRT凭借其简化电路设计、提高集成度、环保合规性以及广泛的适用性,成为一种极具竞争力的电子元件。其出色的性能和可靠性使其适用于各种高要求的工业应用场合。总体来说,BRT值得推荐给对高性能和高可靠性的电路设计需求较高的人群。
    以上信息仅供参考,具体型号和技术参数请参阅相关数据手册。

SMUN5233T1G参数

参数
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极电流 100mA
配置 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 1mA,10mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
最大功率耗散 338mW
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 1mA,10mA
长*宽*高 2.1mm*1.24mm*850μm
通用封装 3000
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SMUN5233T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

SMUN5233T1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR SMUN5233T1G SMUN5233T1G数据手册

SMUN5233T1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
9000+ $ 0.0216 ¥ 0.1915
27000+ $ 0.0214 ¥ 0.1898
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