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MT53D512M32D2DS-046 WT:D

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 2GB 512Mx32 1.06V,1.7V 360mA 1.17V,1.95V 2.133GHz 32bit WFBGA-200 贴片安装
供应商型号: CSCS-MT53D512M32D2DS-046 WT:D
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MT53D512M32D2DS-046 WT:D

MT53D512M32D2DS-046 WT:D概述


    产品简介


    LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
    MT53D512M32D2, MT53D1024M32D4 是Micron公司推出的低功耗双倍数据速率(LPDDR)内存产品,专为移动设备和嵌入式系统设计。这类产品属于SDRAM(同步动态随机存储器)类别,具备极低的工作电压,高效能的数据处理能力,以及广泛的应用领域,如智能手机、平板电脑、汽车电子等。

    技术参数


    - 工作电压:
    - 内核电压: VDD1 = 1.70–1.95V (典型值1.80V)
    - 接口电压: VDD2 = 1.06–1.17V (典型值1.10V)
    - I/O电压: VDDQ = 1.06–1.17V (典型值1.10V) 或低电压VDDQ = 0.57–0.65V (典型值0.60V)
    - 频率范围:
    - 2133–10 MHz (数据率范围:4266–20 Mb/s/针)
    - 架构:
    - 16n预读取DDR架构
    - 每通道8个内部银行,支持并发操作
    - 单数据率CMD/地址输入
    - 每字节车道双向/差分数据选通
    - 时序参数:
    - 最大数据带宽:8.5 GB/s
    - 写入延迟:30/32/34/36
    - 读取延迟:32/36/36/40
    - 温度范围:
    - -25°C 到 +85°C

    产品特点和优势


    - 超低功耗: 这些产品采用了超低电压内核和接口电源,有效降低能耗。
    - 高速处理: 支持高达4266 Mb/s/针的数据传输速率。
    - 多功能性: 包含可编程读写延迟、突发长度、自刷新频率等功能。
    - 可靠性: 具备部分阵列自刷新(PASR)、输出驱动强度选择等功能,增强了产品的可靠性和灵活性。
    - 兼容性: 罗氏合规封装,适合绿色产品应用。

    应用案例和使用建议


    这些LPDDR4/LPDDR4X SDRAM主要应用于智能手机、平板电脑和其他移动设备中。在这些设备中,它们负责临时存储应用程序和数据,以确保设备能够快速响应用户的操作。
    使用建议:
    - 由于这些产品具有多种配置,建议根据具体应用需求选择合适的配置。
    - 针对不同环境温度,需要确保适当的散热措施,特别是在高负荷运行下。
    - 在设计过程中应考虑系统的总线接口和电源管理,以最大化利用其高性能和低功耗的特点。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 这些产品兼容标准的200球FBGA封装,适用于多种主板和应用。
    - 支持: Micron公司提供全面的技术支持和文档资料,以帮助客户顺利进行集成和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在初始化时出现错误。
    - 解决方法: 检查所有连接是否正确,并确保供电电压符合规定要求。

    - 问题2: 数据传输速率不稳定。
    - 解决方法: 调整设备的时钟频率和温度设置,确保环境条件适宜。

    - 问题3: 自刷新过程中出现故障。
    - 解决方法: 检查温度传感器和相关电路,确认自刷新过程是否正常。

    总结和推荐


    综上所述,LPDDR4/LPDDR4X SDRAM具备出色的性能和多样化的配置选项,非常适合在各类移动设备和嵌入式系统中使用。由于其高效的功耗管理和高度灵活的配置,强烈推荐这些产品用于需要高数据传输速率和低功耗的应用场景。如果您正在寻找高效可靠的移动内存解决方案,这些产品无疑是一个不错的选择。

MT53D512M32D2DS-046 WT:D参数

参数
最大时钟频率 2.133GHz
最大工作供电电压 1.17V,1.95V
最小工作供电电压 1.06V,1.7V
组织 512Mx32
数据总线宽度 32bit
接口类型 -
存储容量 2GB
最大供电电流 360mA
通用封装 WFBGA-200
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

MT53D512M32D2DS-046 WT:D厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

MT53D512M32D2DS-046 WT:D数据手册

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MT53D512M32D2DS-046 WT:D封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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