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MT49H16M18CBM-5

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 36MB 16Mx18 1.7V 364mA 1.9V 200MHz HSTL 18bit BGA 贴片安装 18.5mm*11mm*700μm
供应商型号: CSCS-MT49H16M18CBM-5
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MT49H16M18CBM-5

MT49H16M18CBM-5概述

    288Mb RLDRAM 2 CIO 技术手册解析

    产品简介


    288Mb RLDRAM 2 CIO(RLDRAM 2 同步动态随机存储器)是一款专为高速存储需求设计的高性能存储器产品。它提供三种不同的配置:x9、x18 和 x36,适用于广泛的工业应用,如网络、无线通信、图形处理和高性能计算。该存储器以高带宽和低延迟著称,可大幅提升系统性能。

    技术参数


    - 频率: 最高可达533 MHz(单个引脚数据速率为1.067 Gb/s),峰值带宽最高可达38.4 Gb/s(x36配置下)。
    - 组织结构: 包括32 Meg x 9、16 Meg x 18 和 8 Meg x 36。
    - 内部银行数量: 8个,用于并发操作和最大带宽。
    - 时序参数: 每个周期时间(Tc)为15ns。
    - 电源电压: VEXT为2.5V,VDD为1.8V,I/O电压为1.5V或1.8V。
    - 封装: 144球µBGA封装,符合无铅标准。
    - 接口: HSTL(高速串联端接逻辑),输入时钟(CK, CK#)、数据时钟(DKx, DKx#)均为差分信号。

    产品特点和优势


    - 高性能: 支持DDR模式,最大数据速率高达1.067 Gb/s。
    - 低延迟: 仅15ns的周期时间,确保快速响应。
    - 多重配置: 提供x9、x18 和 x36配置,满足不同应用需求。
    - SRAM型接口: 数据处理速度快且高效。
    - 灵活的时序控制: 可编程读取延时(RL)、行周期时间和突发序列长度。
    - 内置终止电阻: 输出阻抗匹配,提高信号完整性。

    应用案例和使用建议


    RLDRAM 2 CIO 通常用于高性能计算、网络设备、无线通信设备等领域。例如,在数据中心环境中,它可以作为主存储器,加速数据处理速度。在使用过程中,建议遵循手册中的电气特性和操作条件,确保系统稳定运行。例如,保持工作温度在指定范围内(商业温度范围0°C到+95°C,工业温度范围-40°C到+95°C),并正确配置时序参数以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该存储器与其他微处理器和控制器具有良好兼容性,可以轻松集成到现有系统中。
    - 技术支持: Micron Technology, Inc. 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决各种问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 系统启动时存储器无法正常工作。
    - 解决方案: 检查系统时序配置是否正确,并重新初始化存储器。
    - 问题2: 存储器带宽不达标。
    - 解决方案: 确认电源电压和温度均在规定范围内,调整时钟频率以优化性能。
    - 问题3: 写入数据时出现错误。
    - 解决方案: 检查地址和命令设置,确保正确无误;如果仍然存在问题,则需重新进行初始化流程。

    总结和推荐


    288Mb RLDRAM 2 CIO 是一款集高性能、低延迟、多重配置于一身的存储器产品。其优异的性能和灵活的配置使其成为高性能计算和网络设备的理想选择。尽管初期成本较高,但考虑到其卓越的性能表现和广泛的应用范围,强烈推荐在需要高性能存储解决方案的项目中使用。
    总之,288Mb RLDRAM 2 CIO凭借其强大的性能和广泛应用的适应性,成为了电子设备领域的佼佼者。无论是在数据中心、网络基础设施还是其他高性能应用场景,该存储器都能提供卓越的支持和保障。

MT49H16M18CBM-5参数

参数
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.9V
最小工作供电电压 1.7V
组织 16Mx18
数据总线宽度 18bit
接口类型 HSTL
存储容量 36MB
最大供电电流 364mA
长*宽*高 18.5mm*11mm*700μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
应用等级 商用级

MT49H16M18CBM-5厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

MT49H16M18CBM-5数据手册

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