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MT41J256M16HA-125:E

产品分类: 陶瓷电容
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: DRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin FBGA Tray
供应商型号: MT41J256M16HA-125:E
供应商: 云汉优选
标准整包数: 0
MICRON TECHNOLOGY 陶瓷电容 MT41J256M16HA-125:E

MT41J256M16HA-125:E概述

    DDR3 SDRAM Reduced tFAW Addendum 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:DDR3 SDRAM Reduced tFAW
    主要功能:DDR3 SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取内存)是一种高性能存储器,能够提供快速的数据读写速度。本款DDR3 SDRAM具备减少的tFAW(行激活窗口时间),有助于提高整体系统的效率。
    应用领域:广泛应用于计算机、服务器、网络设备、消费电子设备等领域,尤其适合对速度和效率要求较高的应用场合。

    2. 技术参数


    - 供电电压:VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
    - IO电压:1.5V中心终止推挽式
    - 数据位宽:8位预取架构
    - 时钟输入:差分双向数据脉冲信号,差分时钟输入(CK, CK#)
    - 内部银行数:8个内部银行
    - 终端电阻:正常和动态片上终端(ODT),适用于数据、脉冲信号和掩码信号
    - CAS延迟:可编程CAS读取延迟(CL)
    - 写入延迟:可编程CAS写入延迟(CWL)
    - 突发长度:固定突发长度(BL)为8,突发切割(BC)为4(通过模式寄存器集[MRS]设置)
    - 温度范围:商业级(0°C至+95°C)
    - 刷新周期:64ms/8192周期(0°C至85°C);32ms/8192周期(85°C至95°C)

    3. 产品特点和优势


    - 快速数据传输:DDR3 SDRAM采用8位预取架构,可以显著提升数据传输速度。
    - 高可靠性:通过动态片上终端(ODT)和中心终止推挽式IO,确保在高速传输下依然具有高可靠性。
    - 灵活配置:支持多种时序参数调整,包括可编程CAS读取延迟、写入延迟和突发长度等,方便根据应用需求进行优化。
    - 环境适应性强:能够在宽广的温度范围内(0°C至+95°C)正常工作,适用于各种复杂的工作环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:本产品广泛应用于高性能服务器系统中,用于处理大量并发请求。同时,也可用于高端图形工作站,以实现高效的数据交换。
    - 使用建议:
    - 在选择存储器配置时,应根据具体应用需求确定合适的时序参数。
    - 确保良好的散热条件,尤其是在高温环境下使用时,可以通过增加散热片或改善气流等方式提高系统的稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品兼容多种主板和系统,适合各类服务器和工作站。但需注意,具体兼容性可能需要查阅主板的详细规格说明。
    - 支持:Micron Technology, Inc. 提供详尽的技术支持文档,包括完整的功能和规格描述。此外,还提供了产品生命周期管理,确保客户可以获得持续的技术支持和更新服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何优化DDR3 SDRAM的时序参数?
    - 解决方案:参考官方手册,根据具体应用需求进行时序参数调整。一般情况下,适当延长CAS读取延迟和写入延迟可以提高数据的稳定性和准确性。

    - 问题2:在高温环境下使用DDR3 SDRAM时,应该如何处理?
    - 解决方案:在设计系统时,应充分考虑散热措施,如增加散热片或风扇,以确保设备能在正常温度范围内运行。

    7. 总结和推荐


    总结:这款DDR3 SDRAM Reduced tFAW产品在技术规格和性能方面表现优异,具有快速的数据传输能力、高度可靠的性能和广泛的适用范围。特别是在高负载、高性能需求的应用场景中表现出色。
    推荐:强烈推荐使用该产品,特别是对于需要高性能存储解决方案的服务器和工作站。Micron公司提供的优质技术支持和持续的产品更新也将使客户受益匪浅。

MT41J256M16HA-125:E参数

参数
电容值 -
容差 -
温度系数 -
额定电压 -
长*宽*高 14mm(长度)*9mm(宽度)
通用封装 TFBGA-96
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

MT41J256M16HA-125:E厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

MT41J256M16HA-125:E数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 陶瓷电容 MICRON TECHNOLOGY MT41J256M16HA-125:E MT41J256M16HA-125:E数据手册

MT41J256M16HA-125:E封装设计

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