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MT40A512M16LY-075:E TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 8Gb (512M x 16) 512 M x 16 1.14V 105mA 1.26V 1.33GHz Parallel 16bit FBGA-96 贴片安装,黏合安装
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标准整包数: 0
MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MT40A512M16LY-075:E TR

MT40A512M16LY-075:E TR参数

参数
存储容量 8Gb (512M x 16)
最大供电电流 105mA
最大时钟频率 1.33GHz
最大工作供电电压 1.26V
最小工作供电电压 1.14V
组织 512 M x 16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
通用封装 FBGA-96
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

MT40A512M16LY-075:E TR厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

MT40A512M16LY-075:E TR数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MICRON TECHNOLOGY MT40A512M16LY-075:E TR MT40A512M16LY-075:E TR数据手册

MT40A512M16LY-075:E TR封装设计

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