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MT46V32M16FN-6:F

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 64MB 32Mx16 2.3V 195mA 2.7V 333MHz SSTL_2 16bit BGA 贴片安装 12.5mm*10mm*850μm
供应商型号:
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标准整包数: 0
MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MT46V32M16FN-6:F

MT46V32M16FN-6:F概述


    产品简介


    Micron Technology, Inc.推出的512Mb DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存储器)是一种高性能的电子元器件,主要提供三种配置:x4、x8和x16位版本。这些芯片主要用于需要高速数据传输和大容量存储的应用场合,如计算机内存、服务器、网络设备及高端消费电子产品等。

    技术参数


    - 电压支持:VDD = +2.5V ±0.2V,VDDQ = +2.5V ±0.2V;VDD = +2.6V ±0.1V,VDDQ = +2.6V ±0.1V (DDR400)
    - 双向数据选通(DQS):用于源同步数据捕获,x16版本有两个DQS
    - 内部结构:采用双倍数据速率架构,每时钟周期可进行两次数据访问
    - 差分时钟输入:CK 和 CK#
    - 命令输入:在每个正CK边沿输入
    - 数据对齐:DQS在读取时与数据边缘对齐,在写入时中心对齐
    - DLL锁相环:用于对齐DQ和DQS的转换与CK
    - 内部银行:四个内部银行以实现并发操作
    - 数据掩码(DM):用于屏蔽写入数据,x16版本有两个DM
    - 突发长度:可编程为2、4或8
    - 自刷新模式:商业级和工业级型号支持64ms的刷新时间(8192个周期),汽车级型号支持16ms的刷新时间(8192个周期)
    - 封装形式:提供多种封装选项,包括66针TSOP、60球FBGA等
    - 温度范围:商业级(0°C到+70°C)、工业级(-40°C到+85°C)、汽车级(-40°C到+105°C)

    产品特点和优势


    1. 高性能:采用双倍数据速率架构,能够显著提高数据传输速度,满足现代高性能计算的需求。
    2. 可靠性高:通过长铅封装设计,提高可靠性。
    3. 低功耗:提供低功耗自刷新模式,减少能源消耗。
    4. 兼容性强:所有输入与JEDEC标准兼容,可轻松集成到现有系统中。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 服务器内存条
    - 计算机主内存
    - 高速缓存系统
    - 网络交换机及路由器
    - 工业自动化控制系统
    使用建议:
    - 在选择具体型号时,应考虑工作温度范围、数据传输速率和封装类型等因素。
    - 对于需要低功耗的场景,建议选用支持低功耗自刷新模式的产品。
    - 根据应用需求选择合适的突发长度(BL),通常为2、4或8。

    兼容性和支持


    512Mb DDR SDRAM支持与JEDEC标准兼容的SSTL2输出,可以方便地与现有的各种系统集成。厂商提供详细的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利部署和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 无法正常启动
    - 解决方案:检查电源电压和时钟信号是否正确。确保所有连接牢固无误。

    2. 数据读写错误
    - 解决方案:检查数据选通信号(DQS)是否正常工作,同时确认写入的数据掩码(DM)设置正确。

    3. 内存条不稳定
    - 解决方案:尝试更换不同类型的内存条以排除硬件故障;确保软件驱动程序是最新的。

    总结和推荐


    Micron Technology, Inc.的512Mb DDR SDRAM系列产品具有出色的性能、可靠性和兼容性,适用于多种高端应用。无论是企业级数据中心还是工业控制系统,该产品都能够提供卓越的表现。强烈推荐该产品给需要高性能存储解决方案的客户。由于提供了广泛的封装选项和温度等级选择,可以灵活适应不同的应用需求。因此,这款产品无疑是现代电子系统中不可或缺的重要组件。

MT46V32M16FN-6:F参数

参数
接口类型 SSTL_2
存储容量 64MB
最大供电电流 195mA
最大时钟频率 333MHz
最大工作供电电压 2.7V
最小工作供电电压 2.3V
组织 32Mx16
数据总线宽度 16bit
长*宽*高 12.5mm*10mm*850μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
应用等级 商用级
包装方式 托盘

MT46V32M16FN-6:F厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

MT46V32M16FN-6:F数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MICRON TECHNOLOGY MT46V32M16FN-6:F MT46V32M16FN-6:F数据手册

MT46V32M16FN-6:F封装设计

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