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MT46H128M16LFB7-5 WT:B

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 256MB 1.7V 130mA 1.95V Parallel 16bit 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MT46H128M16LFB7-5 WT:B

MT46H128M16LFB7-5 WT:B概述

    文章标题:Micron Automotive LPDDR SDRAM 技术手册解析

    1. 产品简介


    Micron Technology 的 Automotive LPDDR SDRAM 是专为汽车及工业应用设计的高性能存储解决方案。这些器件采用低功耗双倍数据速率(DDR)架构,能够在有限的空间内提供卓越的数据访问性能。产品支持多种配置选项,包括16位(x16)和32位(x32)数据总线宽度,容量从64Mb到2Gb不等。主要功能包括:
    - 高达200MHz的时钟频率;
    - 支持多种突发长度(BL),可选值为2、4、8或16;
    - 温度补偿自刷新功能(TCSR)以适应极端环境;
    - 兼容1.8V LVCMOS接口,适用于各种嵌入式系统。
    这些特性使其成为车载信息娱乐系统、ADAS(高级驾驶辅助系统)、仪表盘显示屏以及其他高要求电子模块的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是Micron Automotive LPDDR SDRAM的主要技术规格:
    | 参数 | 描述 |

    | 工作电压 | VDD/VDDQ = 1.70–1.95V |
    | 数据总线宽度 | 16位(x16)或32位(x32) |
    | 容量 | 64Mb、128Mb、256Mb |
    | 最大时钟频率 | 200MHz |
    | CAS延迟时间 | CL=3时,支持5ns、5.4ns、6ns和7.5ns四种时序选项 |
    | 自刷新模式 | 支持温度补偿自刷新和部分阵列自刷新 |
    | 温度范围 | 工业级(-40°C至+85°C),汽车级(-40°C至+105°C) |

    3. 产品特点和优势


    Micron Automotive LPDDR SDRAM凭借以下特点在市场上脱颖而出:
    - 超低功耗:支持深度掉电模式(Deep Power-Down),显著降低静态功耗;
    - 高度可靠性:通过严格的汽车级认证,确保在严苛环境中稳定运行;
    - 多功能配置:多种容量和接口选项,满足不同设计需求;
    - 快速响应:内部四组独立的内存银行支持并发操作,实现高效数据处理。
    这些特点使得该系列器件非常适合对数据传输速度、能效比和环境适应性有严格要求的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    Micron Automotive LPDDR SDRAM广泛应用于汽车和工业领域的高端电子设备中,例如:
    - 车载信息娱乐系统:需要快速读写大量多媒体数据;
    - 高级驾驶辅助系统(ADAS):实时处理传感器数据;
    - 智能仪表板:用于显示导航、车况等复杂信息。
    在实际部署过程中,建议遵循以下几点优化方案:
    - 确保供电电压始终处于推荐范围内(1.70–1.95V);
    - 在启动阶段进行适当的初始化操作,如加载模式寄存器并设置CAS延迟时间;
    - 避免频繁切换电源状态以减少能耗波动。

    5. 兼容性和支持


    该系列产品与主流嵌入式处理器紧密配合,能够无缝集成于现有硬件平台。此外,Micron提供详尽的技术文档和支持服务,涵盖产品选型指导、硬件设计参考以及售后技术支持等环节。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册内容,整理出用户可能遇到的一些典型问题及其解决方法如下:
    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 设备无法正常工作 | 检查供电电压是否符合规定范围 |
    | 数据读取错误 | 验证命令序列是否正确执行 |
    | 温度过高导致性能下降 | 启用温度补偿自刷新功能或优化散热措施 |

    7. 总结和推荐


    Micron Automotive LPDDR SDRAM凭借其出色的性能表现、丰富的配置选项以及可靠的品质保障,在汽车电子和工业自动化领域占据重要地位。对于追求高效能、长寿命且适应性强的存储解决方案的用户而言,这一系列器件无疑是一个理想的选择。因此,我们强烈推荐将其纳入相关项目的考量之中。
    如需进一步了解详细规格,请参阅官方技术手册PDF文件。
    引用资料:
    - PDF文件名称:`t79maitaatmobilelpddr.pdf`
    - 文件版本:Rev. B 02/14 EN
    版权声明:
    © 2012 Micron Technology, Inc. All rights reserved.

MT46H128M16LFB7-5 WT:B参数

参数
组织 -
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 256MB
最大供电电流 130mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
安装方式 贴片安装
包装方式 托盘

MT46H128M16LFB7-5 WT:B厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

MT46H128M16LFB7-5 WT:B数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MICRON TECHNOLOGY MT46H128M16LFB7-5 WT:B MT46H128M16LFB7-5 WT:B数据手册

MT46H128M16LFB7-5 WT:B封装设计

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