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XP132A11A1SR

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: XP132A11A1SR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  XP132A11A1SR

XP132A11A1SR概述

    # XP132A11A1SR P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    XP132A11A1SR 是一款高性能的P沟道增强型功率MOSFET,具有卓越的开关特性和低导通电阻(RDS(ON)),适用于各种高功率应用。该产品采用先进的沟槽技术制造,能够提供优异的性能表现和出色的可靠性。它广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统等领域。

    技术参数


    以下是XP132A11A1SR的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -30 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 漏极连续电流 | ID | -5.1 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | AIDM | -40 | - | - | A |
    | 总耗散功率 | PD | 2 | - | 0.8 | W |
    | 结温及存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 | - | +150 | ℃ |
    | 热阻 | RθJA | 50 | - | 60 | ℃/W|
    静态参数
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -30 | - | - | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=-30V, VGS=0V | - | - | -1 | μA |
    | 栅体漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -1.0 | - | -3.0 | V |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=-10V, ID=-5A | - | 33 | - | mΩ |
    | 二极管正向电压 | VSD | IS=-5A, VGS=0V | - | - | -1.2 | V |
    | 栅极电阻 | RG | f=1MHz | - | 15 | - | Ω |
    动态参数
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 输入电容 | Ciss | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 490 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 75 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | 60 | - | - |
    | 总栅极电荷 | Qg | VGS=-10V, VDS=-15V, ID=-5A | - | 9 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | - | 1.5 | - | nC |
    | 栅极漏极电荷 | Qgd | - | - | 2.3 | - | - |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | IF=-5A, di/dt=100A/us | - | 12 | - | nC |
    | 反向恢复时间 | trr | - | - | 32 | - | ns |
    | 开启延迟时间 | tD(on) | VGS=-10V, VDD=-15V, ID=-5A | - | 9 | - | ns |
    | 开启上升时间 | tr | - | - | 3 | - | - |
    | 关断延迟时间 | tD(off) | - | - | 29 | - | - |
    | 关断下降时间 | tf | - | - | 15 | - | - |

    产品特点和优势


    XP132A11A1SR具备以下特点和优势:
    1. 低导通电阻:在不同栅源电压下,RDS(ON)分别为33mΩ(@VGS=-10V)和48mΩ(@VGS=-4.5V),适合高效率应用。
    2. 高可靠性和稳定性:通过100% UIS测试和ΔVds测试,确保了长期运行的可靠性。
    3. 先进的沟槽技术:提供了出色的RDS(ON)和低栅极电荷。
    4. 环保材料:采用无铅且绿色环保材料制成。
    5. 宽泛的工作温度范围:结温和存储温度范围为-55℃到+150℃,适应多种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    XP132A11A1SR广泛应用于各类高功率电路设计,例如电源管理模块、电机驱动器和LED照明系统。为了确保最佳性能,建议如下:
    1. 应用案例:
    - 电源管理模块:利用其低导通电阻和高可靠性,在开关电源设计中作为主控MOSFET,提高整体转换效率。
    - 电机驱动器:利用其快速开关特性,降低损耗并提高响应速度。
    - LED照明系统:利用其高效率特性,减少发热,延长灯具使用寿命。
    2. 使用建议:
    - 在高电流应用中,考虑散热设计以避免过热。
    - 确保电路布局合理,避免引线寄生电感影响开关特性。
    - 定期检查并维护电路,确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    XP132A11A1SR与多数标准电路兼容,易于集成到现有系统中。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南、测试报告和技术咨询。此外,还可通过在线论坛获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的用户问题及其解决方案:
    1. 问题:开关速度慢,影响性能。
    解决方案:检查电路布局,优化寄生电感;确认电源和栅极驱动信号质量。

    2. 问题:导通电阻过高,导致效率降低。
    解决方案:选择合适的栅极驱动电压以确保最低的RDS(ON)。

    3. 问题:过热保护触发频繁。
    解决方案:改善散热设计,增加散热片或改进风扇冷却。

    总结和推荐


    XP132A11A1SR是一款出色的P沟道增强型功率MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性以及宽泛的工作温度范围。适用于多种高功率应用,尤其在需要高效能转换的应用中表现出色。推荐使用XP132A11A1SR来构建高性能的电子系统,特别是在需要卓越效率和可靠性的场合。

XP132A11A1SR厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

XP132A11A1SR数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 XP132A11A1SR XP132A11A1SR数据手册

XP132A11A1SR封装设计

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