处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE4435

NCE4435

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: NCE4435
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  NCE4435

NCE4435概述

    # P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET NCE4435 技术手册

    产品简介


    NCE4435 是一款高性能的P沟道增强型功率MOSFET,专为需要高效能和低导通电阻的应用而设计。这款MOSFET主要应用于直流到直流转换器、电机驱动器、电源管理和通信设备等领域。凭借其先进的工艺技术和卓越的性能指标,NCE4435 在现代电力电子系统中发挥着至关重要的作用。

    技术参数


    NCE4435 的技术参数如下所示:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS -30 | V |
    | 连续漏极电流 | ID -9 | A |
    | 瞬态漏极电流 | IDM -36 | A |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 功耗 | PD 2.7 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 231 | mJ |
    | 结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | ºC |
    | 热阻抗 | RthJA 47 | ºC/W |
    静态参数
    - 漏源击穿电压:V(BR)DSS = -30V (VGS = 0V, ID = -250µA)
    - 栅源泄漏电流:IGSS = ±100nA (VGS = ±20V)
    - 栅源阈值电压:VGS(th) = -1V to -3V (VDS = VGS, ID = -250µA)
    - 导通电阻:
    - RDS(on) < 16mΩ (VGS = -10V, ID = -3A)
    - RDS(on) < 23mΩ (VGS = -4.5V, ID = -2A)
    动态参数
    - 输入电容:Ciss = 1253pF (VGS = 0V, VDS = -15V, f = 1.0MHz)
    - 输出电容:Coss = 181pF
    - 反向转移电容:Crss = 158pF
    - 总栅极电荷:Qg = 24.5nC (VDD = -15V, ID = -3A, VGS = -10V)
    - 栅极源极电荷:Qgs = 3nC
    - 栅极漏极电荷:Qgd = 6nC
    - 开启延迟时间:td(on) = 8ns (VDD = -15V, ID = -3A, RG = 1Ω)
    - 开启上升时间:tr = 9ns
    - 关断延迟时间:td(off) = 26ns
    - 关断下降时间:tf = 8ns
    源漏二极管特性
    - 持续反向漏电流:IS = -9A (TC = 25ºC)
    - 反向恢复电压:VSD = -1.2V (TJ = 25ºC, ISD = -3A, VGS = 0V)

    产品特点和优势


    NCE4435 具备以下独特功能和优势:
    1. 低导通电阻:RDS(on) < 16mΩ (VGS = -10V),RDS(on) < 23mΩ (VGS = -4.5V)。这使得它在低损耗和高效率的应用中表现出色。
    2. 先进的沟槽技术:提供优异的 RDS(on) 和低栅极电荷。
    3. 无铅且绿色环保:符合RoHS标准,确保环保要求。
    4. 100% UIS测试和ΔVds测试:确保产品稳定性和可靠性。
    5. 宽广的工作温度范围:从-55°C 到 150°C,适合各种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NCE4435 广泛应用于多种电力电子系统,如:
    - 直流到直流转换器
    - 电机驱动器
    - 电源管理电路
    - 通信设备
    使用建议
    - 温度管理:由于NCE4435的最大功耗为2.7W,建议在高功率操作时进行良好的散热设计,以避免过热。
    - 栅极驱动:确保合适的栅极驱动电压(通常为-10V或-4.5V),以保持较低的导通电阻并提高效率。
    - 滤波电容:在电源输入端加入适当的滤波电容,减少电源纹波对MOSFET的影响。

    兼容性和支持


    NCE4435 采用标准SOP-8封装,具有良好的兼容性,适用于多种现有的电路板设计。制造商提供了详细的技术支持和售后服务,包括但不限于应用指南、样品申请和技术文档下载。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何确定最佳工作点?
    2. 如何防止MOSFET过热?
    3. 如何选择合适的栅极驱动电压?
    解决方案
    1. 确定最佳工作点:根据具体应用需求和负载条件,参考数据手册中的典型特性和热阻参数来选择最适合的工作电压和电流。
    2. 防止过热:通过良好的散热设计和合理的功耗控制,确保MOSFET在安全工作范围内运行。可以考虑使用散热片、散热器或热管来提高散热效果。
    3. 选择合适的栅极驱动电压:通常,栅极驱动电压应设置为-10V或-4.5V,以确保MOSFET在最佳工作状态下运行。注意不要超过最大允许栅源电压±20V。

    总结和推荐


    综上所述,NCE4435 是一款优秀的P沟道增强型功率MOSFET,具备低导通电阻、先进工艺技术以及广泛的工作温度范围。其广泛的适用性和高可靠性使其成为电力电子系统的理想选择。强烈推荐在需要高效能和稳定性的应用中使用NCE4435。
    希望以上内容能够帮助您更好地了解和使用NCE4435,如果您有任何疑问或需要进一步的信息,请随时联系我们的技术支持团队。

NCE4435厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

NCE4435数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 NCE4435 NCE4435数据手册

NCE4435封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 1.1076
500+ ¥ 1.0224
2000+ ¥ 0.9372
6000+ ¥ 0.852
库存: 50000
起订量: 10 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 11.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
0.731.301 ¥ 980.0982
0.87.0023.0 ¥ 113.6533
0.87.0033.0 ¥ 474.4184
0.87.0055.0 ¥ 33.4765
0.87.0089.0 ¥ 40.9428
0.891.606 ¥ 556.556
0.891.607 ¥ 556.556
00 21 02 EL ¥ 5164.7191
00 21 36 LE ¥ 4503.9297
000648 ¥ 606.879