处理中...

首页  >  产品百科  >  UT4435-S08-R

UT4435-S08-R

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: UT4435-S08-R
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  UT4435-S08-R

UT4435-S08-R概述

    # P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册介绍的产品是一款P通道增强模式功率MOSFET,型号为UT4435-S08-R。它具有高可靠性、低导通电阻(RDS(ON))和快速开关速度的特点。这款MOSFET广泛应用于各种电力电子应用中,如电源转换器、电机驱动器、汽车电子设备等。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源电压 (VDS): -30 V
    - 持续漏电流 (ID): -9 A
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS): -1 μA (VDS = -30V)
    - 栅极-源极泄漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 栅极-源极阈值电压 (VGS(th)): -1 to -3 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V 时: 16 mΩ
    - VGS = -4.5V 时: 23 mΩ
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 1253 pF (VGS = 0V, VDS = -15V)
    - 输出电容 (Coss): 181 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 158 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 24.5 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 3 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 6 nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 8 ns
    - 开启上升时间 (tr): 9 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 26 ns
    - 关闭下降时间 (tf): 8 ns
    其他参数
    - 热阻 (RthJA): 47 °C/W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 231 mJ
    - 结温及存储温度范围 (TJ, Tstg): -55 至 150 °C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: UT4435-S08-R 的导通电阻 (RDS(on)) 仅在 10V 和 4.5V 的栅源电压下分别为 16 mΩ 和 23 mΩ,这使得它能够在低功耗应用中表现出色。
    2. 高级沟槽技术: 采用了先进的沟槽技术,从而提供优异的性能。
    3. 绿色环保: 采用无铅、绿色材料制造,符合环保标准。
    4. 严格的测试: 所有产品均经过100%UIS和ΔVds测试,确保可靠性和稳定性。
    5. 出色的开关特性: 快速的开关速度和较低的开关损耗使其适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电源转换器: 在AC/DC转换器中,用于高压侧开关,可显著提高能效。
    2. 电机驱动器: 在电动机驱动电路中作为开关元件,实现高效驱动。
    3. 汽车电子设备: 用于电池管理系统的控制电路,以提高系统的稳定性和可靠性。
    使用建议
    1. 正确选择栅极驱动电压: 为了获得最佳性能,建议使用 VGS = -10V 或 -4.5V,根据具体应用需求来确定。
    2. 注意热管理: 高功率应用中要注意散热,避免过热导致性能下降。
    3. 遵循应用电路图: 在设计应用电路时,参考制造商提供的电路图和典型应用示例。

    兼容性和支持


    兼容性
    UT4435-S08-R 与标准 SOP-8 封装引脚相兼容,方便集成到现有设计中。该产品可以与其它同类型的功率 MOSFET 或相关控制电路配合使用。
    厂商支持
    BYCHIP 提供全面的技术支持和售后维护服务。如有任何技术问题或需求,请联系技术支持部门获取帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何选择正确的栅极驱动电压?
    解决方案:
    推荐使用 VGS = -10V 或 -4.5V 来驱动 MOSFET,具体取决于负载电流和应用要求。可以通过查阅数据表中的静态参数来确定合适的栅极驱动电压。
    问题2:如何确保良好的散热效果?
    解决方案:
    使用热导率较高的散热器,并保证良好的空气流通。确保 PCB 布局合理,散热路径畅通。根据需要考虑使用散热片或其他散热辅助装置。
    问题3:如何判断 MOSFET 是否损坏?
    解决方案:
    通过测量 RDS(on) 值和漏源电压 (VDS) 来检查 MOSFET 的健康状况。如果 RDS(on) 显著增加或 VDS 大于额定值,则可能是器件故障。

    总结和推荐


    UT4435-S08-R 是一款高性能、可靠的 P 通道增强模式功率 MOSFET,适用于多种电力电子应用。其出色的低导通电阻、先进的沟槽技术和严格的质量控制使其在市场上具备很强的竞争优势。我们强烈推荐此产品用于对开关速度和效率要求较高的应用场合。

UT4435-S08-R厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

UT4435-S08-R数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 UT4435-S08-R UT4435-S08-R数据手册

UT4435-S08-R封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 1.1076
500+ ¥ 1.0224
2000+ ¥ 0.9372
6000+ ¥ 0.852
库存: 50000
起订量: 10 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 11.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
0.731.301 ¥ 980.0982
0.87.0023.0 ¥ 113.6533
0.87.0033.0 ¥ 474.4184
0.87.0055.0 ¥ 33.4765
0.87.0089.0 ¥ 40.9428
0.891.606 ¥ 556.556
0.891.607 ¥ 556.556
00 21 02 EL ¥ 5164.7191
00 21 36 LE ¥ 4503.9297
000648 ¥ 606.879