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W248

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: W248
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  W248

W248概述

    # 高性能双N沟道先进功率MOSFET的技术手册

    产品简介


    本文档介绍的是高性能双N沟道先进功率MOSFET(场效应晶体管)。这种先进的电子元器件主要用于开关电源、马达驱动、汽车电子及各种高效率电力转换设备。本产品具有优良的导通电阻、低栅极电荷、无铅且环保设计等特点,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: |
    | VDSS | 漏源电压 | 60 | V |
    | VGSS | 栅源电压 | ±20 | V |
    | ID | 连续漏电流 | 25℃ | 5 | A |
    | IDM | 脉冲漏电流 | 20 | A |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 | 20 | mJ |
    | PD | 功率耗散 | 25℃ | 1.74 | W |
    | RθJA | 结点到环境热阻抗 | 72 | ℃/W |
    | TJ, TSTG | 工作温度范围 | -55 至 +150 | ℃ |
    电气特性(25℃)
    | 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V, ID=250μA | 60 | - | - | V |
    | IDSS | 零栅电压漏电流 | VDS=60V, VGS=0V | - | - | 1.0 | μA |
    | IGSS | 栅体泄漏电流 | VDS=0V, VGS=±20V | - | - | ±100 | nA |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | VDS=VGS, ID=250μA | 1.0 | 2.5 | V |
    | RDS(on) | 静态漏源导通电阻 | VGS=10V, ID=5A | - | 30 | mΩ |
    | RDS(on) | 静态漏源导通电阻 | VGS=4.5V, ID=3A | - | 36 | mΩ |
    | Ciss | 输入电容 | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 853 | pF |
    | Coss | 输出电容 | - | 60 | - | pF |
    | Crss | 反向转移电容 | - | 29 | - | pF |
    | Qg | 总栅电荷 | VDD=30V, ID=2.5A, VGS=10V | - | 20 | nC |
    | Qgs | 栅源电荷 | - | 3 | - | nC |
    | Qgd | 栅漏(米勒)电荷 | - | 4.5 | - | nC |
    开关特性
    | 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | td(on) | 开启延迟时间 | VDD=30V, ID=5A, RGEN=1.8Ω, VGS=10V | - | 6 | - | ns |
    | tr | 开启上升时间 | - | - | 6 | - | ns |
    | td(off) | 关断延迟时间 | - | - | 19 | - | ns |
    | tf | 关断下降时间 | - | - | 2.5 | - | ns |

    产品特点和优势


    该产品具备多项独特功能与优势:
    - 低静态导通电阻:在栅源电压为10V和4.5V时,静态导通电阻分别为30mΩ和36mΩ,从而实现高效的能量转换。
    - 先进沟槽技术:采用先进的沟槽技术,实现了出色的RDS(ON)(静态漏源导通电阻)和低栅极电荷。
    - 无铅且环保设计:符合RoHS标准,是环保产品,满足现代电子产品绿色发展的要求。
    - 100%UIS和ΔVds测试:确保产品在极端条件下仍然表现出卓越的性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电源:用于高压直流输入,实现高效能的能量转换。
    2. 电机驱动:控制马达运行,提高电机效率和寿命。
    3. 汽车电子:应用于汽车空调、仪表盘、安全气囊系统等,提升驾驶体验和安全性。
    使用建议
    - 选择合适的工作环境:确保工作温度范围符合器件的温度要求,避免因过热导致损坏。
    - 正确布线:使用合适的电路板布局,减少寄生电感,提高开关性能。
    - 合理使用散热片:根据产品的工作负载选择适当的散热措施,如使用散热片,以降低热阻,延长使用寿命。

    兼容性和支持


    该产品可与常见的双N沟道功率MOSFET器件兼容,便于替代现有设计方案中的器件。厂商提供详尽的技术支持,包括但不限于样品请求、应用指南和技术咨询服务,旨在帮助客户顺利应用产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 高温环境下出现故障
    - 解决方案:确认工作环境温度不超过最大工作温度,并确保有良好的散热措施。
    2. 开机瞬间触发保护机制
    - 解决方案:检查外部电路设计,确保合适的启动顺序,避免瞬间过流。
    3. 导通电阻异常增大
    - 解决方案:检查是否超出了额定的最大工作电压和电流,同时确认栅源电压设置正确。

    总结和推荐


    综上所述,这款双N沟道先进功率MOSFET在多个方面都展现出优异的性能,特别是在导通电阻、栅极电荷和热稳定性等方面。它广泛适用于开关电源、马达驱动和汽车电子等领域。对于需要高效率和可靠性的应用来说,这是理想的选择。鉴于其优异的表现和广泛的应用范围,我们强烈推荐使用此款产品。

W248厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

W248数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 W248 W248数据手册

W248封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.0448
500+ ¥ 1.8876
2000+ ¥ 1.7303
6000+ ¥ 1.573
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