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ME4457

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: ME4457
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  ME4457

ME4457概述

    # ME4457 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    ME4457是一款高性能的P-通道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动、照明系统等领域。它的高可靠性、低导通电阻以及卓越的热特性使其成为众多电子设备中的理想选择。

    技术参数


    以下是ME4457的技术参数列表:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): -30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏极电流 (TA=25℃): ID -5.1A
    - 漏极电流 (TA=100℃): ID -3A
    - 脉冲漏极电流: AIDM -40A
    - 总功率耗散 (TA=25℃): PD 2W
    - 总功率耗散 (TA=100℃): PD 0.8W
    - 结温和存储温度范围: TJ, TSTG -55℃~+150℃
    - 热阻抗:
    - 结到环境热阻 (稳态): RθJA 50~60℃/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (VGS=0V, ID=-250μA): BVDSS -30V
    - 零栅电压漏极电流 (VDS=-30V, VGS=0V): IDSS -1μA
    - 零栅电压漏极电流 (VDS=-30V, VGS=0V, Tj=150℃): IDSS -100μA
    - 栅体泄漏电流 (VGS=±20V, VDS=0V): IGSS ±100nA
    - 栅阈电压 (VDS=VGS, ID=-250μA): VGS(th) -1.0~-3.0V
    - 静态漏源导通电阻 (VGS=-10V, ID=-5A): RDS(on) < 33mΩ
    - 静态漏源导通电阻 (VGS=-4.5V, ID=-3.5A): RDS(on) < 48mΩ
    - 二极管正向电压 (IS=-5A, VGS=0V): VSD -1.2V
    - 输入电容 (VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz): Ciss 490pF
    - 输出电容 (Coss): 75pF
    - 反向转移电容 (Crss): 60pF
    - 总栅电荷 (Qg): 9nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 1.5nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 2.3nC
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 12nC
    - 反向恢复时间 (trr): 32ns
    - 开启延迟时间 (tD(on)): 9ns
    - 开启上升时间 (tr): 3ns
    - 关断延迟时间 (tD(off)): 29ns
    - 关断下降时间 (tf): 15ns

    产品特点和优势


    ME4457具有以下独特功能和优势:
    - 高可靠性:在极端工作环境下表现出色,绝对最大额定值高,确保长时间稳定运行。
    - 低导通电阻:RDS(on)在不同栅源电压下均保持较低值,适用于高效能的应用。
    - 先进沟槽技术:先进的沟槽技术提高了RDS(on)和降低了栅电荷,显著提升了效率。
    - 绿色环保:符合无铅和环保标准,适用于需要绿色生产的应用场合。
    - 全面测试:所有产品均通过UIS和ΔVds测试,确保质量可靠。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ME4457在多种场合中得到广泛应用,例如:
    - 开关电源:在高频开关电源中作为开关元件,提供高效的能量转换。
    - 电机驱动:用于驱动各类电机,实现精准控制和高效能。
    - 照明系统:用于LED灯的驱动电路,提高系统效率和可靠性。
    使用建议
    - 在设计电路时,要充分考虑散热问题,避免因过热导致的性能下降。
    - 选择合适的驱动电路以降低开关损耗,提高系统整体效率。
    - 在恶劣环境下使用时,需要合理设计散热系统,确保产品稳定工作。

    兼容性和支持


    ME4457具有广泛的兼容性,可以与其他常见的电子元件和设备配合使用。制造商提供了详尽的支持文档和技术支持服务,包括详细的电气特性和机械参数,确保用户能够顺利集成到各种应用中。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的栅源电压来保证最低的导通电阻?
    - 答:根据图表数据,在VGS=-10V时,RDS(on)为33mΩ;在VGS=-4.5V时,RDS(on)为48mΩ。建议选择VGS=-10V,以获得更低的导通电阻。
    2. 问:如何判断产品是否超出了最大额定值?
    - 答:可以通过监测漏源电压、栅源电压、漏极电流和温度来确保产品在安全范围内工作。如果超过最大额定值,应采取适当的措施进行散热或调整电路设计。

    总结和推荐


    总体而言,ME4457是一款高性能、高可靠性的P-通道增强型功率MOSFET。其低导通电阻、先进的技术以及广泛的应用范围使其成为许多电子设备的理想选择。鉴于其出色的性能和可靠性,强烈推荐将其用于开关电源、电机驱动和照明系统等应用中。

ME4457厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

ME4457数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 ME4457 ME4457数据手册

ME4457封装设计

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500+ ¥ 1.573
2000+ ¥ 1.4419
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