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4435SC

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: 4435SC
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  4435SC

4435SC概述

    # P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET(以下简称“MOSFET”)是一款高性能的场效应晶体管,主要用于电力管理和转换应用。它具有低导通电阻(RDS(ON))、先进的沟槽技术,适用于各种高电流、高电压的应用场景。此MOSFET的主要功能是在电路中作为开关或放大器使用,广泛应用于电源管理、电机控制、通信设备、工业自动化等领域。

    技术参数


    基本参数
    - Drain-Source Voltage (VDS): -30V
    - Continuous Drain Current (ID): -9A
    - Pulsed Drain Current (IDM): -36A
    - Gate-Source Voltage (VGS): ±20V
    - Power Dissipation (PD): 2.7W
    - Single Pulse Avalanche Energy (EAS): 231mJ
    热性能参数
    - Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA): 47ºC/W
    静态参数
    - Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS): -30V
    - Zero Gate Voltage Drain Current (IDSS): -1μA
    - Gate-Source Leakage (IGSS): ±100nA
    - Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)): -1V to -3V
    - Drain-Source On-Resistance (RDS(on)):
    - VGS = -10V, ID = -3A: 16mΩ
    - VGS = -4.5V, ID = -2A: 23mΩ
    动态参数
    - Input Capacitance (Ciss): 1253pF
    - Output Capacitance (Coss): 181pF
    - Reverse Transfer Capacitance (Crss): 158pF
    - Total Gate Charge (Qg): 24.5nC
    - Gate-Source Charge (Qgs): 3nC
    - Gate-Drain Charge (Qgd): 6nC
    - Turn-on Delay Time (td(on)): 8ns
    - Turn-on Rise Time (tr): 9ns
    - Turn-off Delay Time (td(off)): 26ns
    - Turn-off Fall Time (tf): 8ns
    驱动特性
    - Drain-Source Body Diode Continuous Body Diode Current (IS): -9A
    - Body Diode Voltage (VSD): -1.2V

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(ON)): 在不同电压下,该MOSFET的RDS(ON)极低,这有助于提高能效,减少功耗。
    2. 先进的沟槽技术: 该技术使得MOSFET在保证低RDS(ON)的同时,还具有优异的电荷传输性能。
    3. 无铅和环保: 该产品完全符合无铅和环保标准,满足现代工业对绿色制造的要求。
    4. 百分之百测试: 所有的产品均经过严格的UIS测试和ΔVds测试,确保产品质量可靠。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理: 用于开关电源、逆变器等高功率转换设备中,可以有效降低损耗,提高系统效率。
    - 电机控制: 用于驱动直流电机和交流电机,通过精确的控制能力提高电机性能和寿命。
    - 通信设备: 在电源管理系统中,用作负载开关和电源管理芯片的一部分,提供高效的电源转换和保护功能。
    使用建议
    - 热设计: 由于其较高的热阻(RthJA = 47ºC/W),在实际应用中需要良好的散热设计,以避免过热导致损坏。
    - 电路布局: 要尽量减小栅极引线的长度和电阻,以减少寄生电容和提高开关速度。
    - 驱动信号: 使用适当的驱动电路和驱动电压,以确保MOSFET能够稳定工作。

    兼容性和支持


    该MOSFET支持标准的SOP-8封装,便于集成到现有的电路板中。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括设计指南、故障排查手册和技术文档等。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 启动时发热严重
    2. 开关频率不稳定
    解决方案
    1. 解决方案: 加强散热措施,如使用散热片或风扇。同时检查电路设计是否合理,确保良好的热设计。
    2. 解决方案: 检查驱动电路是否稳定,确保驱动电压和电流符合要求。使用示波器监测开关信号,确保波形没有畸变。

    总结和推荐


    综合评估
    P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 是一款性能卓越的电力电子器件,具有低导通电阻、先进的沟槽技术和环保材料,非常适合高功率转换应用。其出色的热设计和可靠的电气性能使其在市场上具备较强的竞争力。
    推荐结论
    我们强烈推荐此款MOSFET用于需要高效电源转换和高可靠性工作的应用场合。无论是在电源管理还是电机控制中,它都能表现出色,帮助客户实现更高效的能源利用和更稳定的系统性能。

4435SC厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

4435SC数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 4435SC 4435SC数据手册

4435SC封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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2000+ ¥ 0.9372
6000+ ¥ 0.852
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