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UT4430G-S08-R

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: UT4430G-S08-R
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  UT4430G-S08-R

UT4430G-S08-R概述

    # UT4430G-S08-R N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    UT4430G-S08-R 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于各种电力电子系统。它凭借其出色的 RDS(ON) 和低门极电荷,在高电流和高电压应用中表现出色。
    主要功能
    - 高耐压:VDS = 30V
    - 大电流:ID = 18A
    - 先进沟槽技术:实现优异的 RDS(ON) 和低门极电荷
    - 铅自由且环保
    应用领域
    - 开关电源
    - 电机驱动
    - 工业控制
    - 通信设备
    - 照明系统

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | 18 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 72 | A |
    | 功率耗散 | PD | 2.1 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 64 | mJ |
    | 结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 到 150 | ℃ |
    热阻
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 结到环境热阻 | RthJA | 59 | ℃/W |
    静态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID = 250µA | 30 V |
    | 零栅源电压漏极电流 | IDSS | VDS = 30V, VGS = 0V 1 | µA |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | VGS = ±20V ±100 | nA |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250µA | 1.0 | 3.0 V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS = 10V, ID = 10A 4 mΩ |
    | VGS = 4.5V, ID = 10A 7 mΩ |
    动态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 输入电容 | CISS | VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1.0MHz 1714 pF |
    | 输出电容 | COSS 339 pF |
    | 反向转移电容 | CRSS 326 pF |
    | 总门极电荷 | QG | VDD = 15V, ID = 10A, VGS = 10V 37 nC |
    | 栅源电荷 | QGS 4.8 nC |
    | 栅极充电时间 | TD(ON) | VDD = 15V, ID = 10A, RG = 3Ω 8.6 ns |
    | 关断延迟时间 | TD(OFF) 29 ns |
    | 关断下降时间 | TF 8

    产品特点和优势


    - 高压高电流能力:UT4430G-S08-R 在 30V 的漏源电压下可以承受高达 18A 的连续漏极电流,同时具备 72A 的脉冲电流处理能力。
    - 优异的导通电阻:典型值为 4mΩ@VGS=10V,7mΩ@VGS=4.5V,这使得它在多种应用中表现出色,特别是在高电流密度的开关电源和电机驱动中。
    - 高可靠性:经过 100% 的UIS测试和ΔVds测试,确保产品的长期稳定运行。
    - 先进技术:采用先进的沟槽技术,提供了更低的门极电荷和更优的导通电阻。
    - 环保材料:产品符合铅自由标准,符合RoHS指令。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:适用于AC-DC转换器,可以提高效率并减少体积。
    - 电机驱动:在变频调速系统中,能有效降低损耗并提高控制精度。
    使用建议
    - 选择合适的驱动电路以确保快速开关,减少开关损耗。
    - 注意散热设计,合理利用热阻参数来提升可靠性。

    兼容性和支持


    - UT4430G-S08-R 与其他标准封装的功率 MOSFET 具有良好的互换性,方便用户根据具体需求选择。
    - 厂商提供详尽的技术支持文档和在线咨询服务,帮助用户更好地了解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的驱动电路?
    - 解决方案:根据负载特性和工作频率选择合适的门极电阻(RG),并考虑使用集成驱动器 IC 以提高效率。

    2. 问题:如何进行有效的散热设计?
    - 解决方案:根据热阻参数(RthJA)计算热流路径,选择合适尺寸的散热器并增加通风设计。

    总结和推荐


    UT4430G-S08-R 是一款在高电流和高电压应用中表现出色的 N 沟道增强型功率 MOSFET。其优越的 RDS(ON) 和低门极电荷特性使其成为开关电源和电机驱动的理想选择。结合厂商提供的优质技术支持和服务,这款产品非常适合在严苛的应用环境中使用。
    综上所述,我强烈推荐这款 UT4430G-S08-R MOSFET 用于需要高性能和高可靠性的应用场合。

UT4430G-S08-R厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

UT4430G-S08-R数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 UT4430G-S08-R UT4430G-S08-R数据手册

UT4430G-S08-R封装设计

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500+ ¥ 2.3594
2000+ ¥ 2.1628
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