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UT4446G-S08-R

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: UT4446G-S08-R
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  UT4446G-S08-R

UT4446G-S08-R概述

    UT4446G-S08-R N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    1. 产品简介


    UT4446G-S08-R 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该产品具有卓越的导通电阻和低栅极电荷特性,适用于多种应用领域,如电源管理、电机控制和通信设备等。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDS = 30V
    - 连续漏极电流:ID = 18A
    - 脉冲漏极电流:IDM = 72A
    - 栅源电压:VGS = ±20V
    - 功耗:PD = 2.1W
    - 单次冲击雪崩能量:EAS = 64mJ
    - 热阻抗:RthJA = 59°C/W
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:通过100% UIS和ΔVds测试,确保产品可靠性和长期稳定性。
    - 先进的沟槽技术:采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(on) < 4 mΩ@VGS = 10V)和低栅极电荷。
    - 环保材料:产品采用无铅、绿色材料,符合RoHS标准。
    - 应用灵活性:适用于各种应用场景,如电源管理和电机控制。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:UT4446G-S08-R 可以用于开关电源设计,提供高效的能量转换。例如,在电池充电器中,它能有效降低功率损耗,提高系统效率。
    - 使用建议:为了最大化产品的性能和寿命,建议在电路设计时充分考虑散热问题,合理选择散热片,并确保良好的通风环境。此外,适当增加栅极电阻可以减小开关噪声。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用SOP-8封装,易于与其他标准元件兼容。
    - 支持服务:制造商提供详细的技术文档和客户支持,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何处理过高的温度?
    - A:增加散热片面积,改善散热条件;或者减少负载电流,避免长时间满载运行。
    - Q:如何提高效率?
    - A:选择合适的栅极电阻,优化驱动信号;在电路设计时尽量减少寄生电感和电容的影响。
    - Q:如何应对高频干扰?
    - A:选用适当的栅极驱动器,保持栅极线路短且直,以减少寄生电感;增加栅极电阻,抑制高速变化的驱动信号。

    7. 总结和推荐


    UT4446G-S08-R 在性能、可靠性和易用性方面表现优秀。其低导通电阻和先进的沟槽技术使其成为电源管理、电机控制和其他应用的理想选择。综上所述,我们强烈推荐使用该产品。

UT4446G-S08-R厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

UT4446G-S08-R数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 UT4446G-S08-R UT4446G-S08-R数据手册

UT4446G-S08-R封装设计

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