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F7484Q

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: F7484Q
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  F7484Q

F7484Q概述

    # N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文介绍的产品是一款N通道增强模式功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为F7484Q。该器件具有高效率和低导通电阻的特点,广泛应用于电源管理、电机控制、电池充电器等领域。

    技术参数


    以下是该器件的主要技术规格:
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | V(BR)DSS | 突破电压 | VGS=0V, ID=250μA | 40 | - | - | V |
    | ID | 漏极连续电流 | TA =25°C | - | 3.8 | - | A |
    | ID | 漏极连续电流 | TA =100°C | - | 9 | - | A |
    | DM | 脉冲漏极电流 | TA =25°C | - | 56 | - | A |
    | PD | 最大耗散功率 | TA =25°C | - | 3.1 | - | W |
    | RθJL | 结至引脚热阻 | - | 24 | - | - | °C/W |
    | RθJA | 结至环境热阻 | - | 40 | - | - | °C/W |
    | VGS(TH) | 阈值电压 | VDS=VGS,ID=250μA | 1.0 | 3.0 | - | V |

    产品特点和优势


    F7484Q采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其特点包括:
    - 漏源电压:40V,漏极连续电流:14A(@VGS=10V)
    - 导通电阻:RDS(ON)<10mΩ (@VGS=10V)
    - 支持无铅和绿色制造
    - 100% UIS测试
    - 100% ΔVds测试

    应用案例和使用建议


    F7484Q适用于多种应用,如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器等。为了确保最佳性能,建议在设计时考虑以下几点:
    - 确保电路板布局合理,减少寄生电感和电容的影响。
    - 使用适当的散热措施以保持结温在安全范围内。

    兼容性和支持


    该产品与大多数标准电路板设计兼容。制造商提供了详尽的技术支持文档和客户支持服务,以帮助解决任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:器件过热
    解决方案:增加散热片或改进散热设计,确保结温不超过规定范围。
    问题2:漏极电流过高
    解决方案:检查负载情况,必要时添加限流电阻。

    总结和推荐


    综上所述,F7484Q是一款高性能的功率MOSFET,以其低导通电阻和高可靠性成为众多应用的理想选择。推荐在需要高效能和紧凑解决方案的应用中使用此器件。

F7484Q厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

F7484Q数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 F7484Q F7484Q数据手册

F7484Q封装设计

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2000+ ¥ 1.1535
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