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PSMN165-200K

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: PSMN165-200K
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  PSMN165-200K

PSMN165-200K概述

    # PSMN165-200K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    基本信息
    PSMN165-200K 是一款高性能的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET。它广泛应用于开关电源、直流电机控制、LED 驱动以及其他需要高效率和高功率的应用领域。
    主要功能
    - 高击穿电压(VDS = 200V)
    - 大电流承载能力(ID = 3A)
    - 低导通电阻(RDS(ON) < 260 mΩ @ VGS = 10V)
    - 先进的沟槽技术

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 200 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(TJ = 175°C) | ID | 3 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 10 | A |
    | 持续源电流(二极管导通) | IS | 6 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 6 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 18 | mJ |
    | 最大功率耗散(TC = 25°C) | PD | 96 | W |
    | 稳态热阻(Junction-to-Ambient) | RthJA | 15 ~ 18 | °C/W |
    | 稳态热阻(Junction-to-Case) | RthJC | 0.85 ~ 1.1 | °C/W |
    规格
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 静态漏源击穿电压 | VDS | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 200 V |
    | 栅阈值电压 | VGS(th)| VDS = VGS, ID = 250 µA | 2 | 4 V |
    | 栅体漏电 | IGSS | VDS = 0 V, VGS = ±20 V ±100 nA |
    | 零栅电压漏电流 | IDSS | VDS = 200 V, VGS = 0 V | 1 A |
    | 开启状态漏电流 | ID(on) | VDS = 5 V, VGS = 10 V 40 A |
    | 导通电阻 | RDS(on)| VGS = 10 V, ID = 3 A 0.26 | 0.33 | Ω |
    | 前向跨导 | gfs | VDS = 15 V, ID = 3 A 35 S |
    | 输入电容 | Ciss | VGS = 0 V, VDS = 25 V, F = 1 MHz 1800 pF |
    | 输出电容 | Coss | 180 | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | 80 | pF |
    | 总栅电荷 | Qg | VDS = 100 V, VGS = 10 V, ID = 3 A 34 ~ 51 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | 8 | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | 12 | nC |
    | 栅电阻 | Rg | 0.5 ~ 2.9 | Ω |

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 低导通电阻(RDS(ON) < 260 mΩ @ VGS = 10V):使得其适用于高功率应用。
    - 先进的沟槽技术:提供优秀的 RDS(ON) 和低栅电荷。
    - 无铅且环保材料:满足现代电子产品的需求。
    - 100% UIS 测试:确保可靠性和稳定性。
    - 100% ΔVds 测试:进一步保证产品质量。
    优势
    - 高效能:低 RDS(ON) 减少了能量损耗,提高整体效率。
    - 快速开关:出色的动态特性,适合高频应用。
    - 可靠性高:通过严格的测试标准,提供了更高的产品可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    PSMN165-200K 广泛应用于开关电源、电机驱动和 LED 驱动等应用。例如,在一个典型的开关电源应用中,该 MOSFET 可以有效地降低能量损耗,提高电源的整体效率。
    使用建议
    - 在使用时,请确保 VGS 不超过 ±20V 的限制,以防止栅极损坏。
    - 针对不同工作温度,需注意热管理和散热措施,以确保 MOSFET 的长期稳定运行。
    - 使用过程中应注意峰值电流和电压,以避免因过载导致的故障。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 该 MOSFET 可以方便地表面安装在 1" x 1" FR4 板上,易于集成到现有的电路设计中。
    - 与其他常见的 SOP-8 封装兼容,可以轻松替换或升级现有的 MOSFET 设备。
    支持
    - 由专业的技术支持团队提供全面的支持,包括技术文档、样品和工程服务。
    - 用户可以通过官方渠道获得及时的技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何正确测试 VGS(th)?
    - 解决方法:按照手册中的测试条件,使用合适的仪器进行测量。
    2. 在高功率应用中如何管理热耗散?
    - 解决方法:使用适当的散热片和散热设计来管理热量,确保热阻在可接受范围内。
    3. 如何避免栅极损坏?
    - 解决方法:确保 VGS 在安全范围内,不要超出手册中规定的极限。

    7. 总结和推荐



    总结


    PSMN165-200K 是一款高性能的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET,具有高击穿电压、低导通电阻、快速开关能力和先进的制造工艺。这些特性使其在开关电源、电机控制和其他高功率应用中表现出色。
    推荐
    基于其卓越的性能和广泛应用领域,强烈推荐在高功率和高效率应用中使用 PSMN165-200K。如果你正在寻找一款可靠的 MOSFET,这款产品是一个理想的选择。

PSMN165-200K厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

PSMN165-200K数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 PSMN165-200K PSMN165-200K数据手册

PSMN165-200K封装设计

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