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MI4410

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: MI4410
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  MI4410

MI4410概述


    产品简介


    本手册介绍了DMN3112SSS-13型N沟道增强模式功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件是为高性能开关应用而设计的,适用于多种电子系统,如电源管理、电机驱动和电池充电电路。其主要功能包括高电流处理能力、低导通电阻和快速开关速度,使其成为现代电力电子设计的理想选择。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 20V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±10V
    - 漏极电流 \( ID \) (TA=25℃): 10A; (TA=70℃): 8A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 45A
    - 总功耗 \( PD \) (TA=25℃): 1.9W; (TA=70℃): 1.2W
    - 热阻抗 \( R{\theta JA} \): 66°C/W
    - 结温与存储温度范围 \( TJ, T{STG} \): -55℃至+150℃
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 \( BVDSS \): 20V
    - 零栅压漏极电流 \( I{DSS} \): 1μA
    - 栅体漏电流 \( I{GSS} \): ±100nA
    - 栅阈电压 \( V{GS(th)} \): 0.5V 至 2.0V
    - 导通电阻 \( R{DS(ON)} \)
    - \( V{GS}=4.5V \), \( ID=10A \): 11mΩ
    - \( V{GS}=2.5V \), \( ID=4A \): 14mΩ
    - \( V{GS}=1.8V \), \( ID=2A \): 18.2mΩ
    - 二极管正向电压 \( V{SD} \): 1.2V
    - 输入电容 \( C{iss} \): 888pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 133pF
    - 反转转移电容 \( C{rss} \): 117pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 11.05nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 1.73nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 3.1nC
    - 开启延迟时间 \( t{D(on)} \): 7ns
    - 开启上升时间 \( tr \): 46ns
    - 关闭延迟时间 \( t{D(off)} \): 30ns
    - 关闭下降时间 \( tf \): 52ns

    产品特点和优势


    DMN3112SSS-13型N沟道增强模式功率MOSFET具有以下显著特点:
    - 低导通电阻:\( R{DS(ON)} < 11mΩ \) ( \( V{GS}=4.5V \) ) 和 \( R{DS(ON)} < 14mΩ \) ( \( V{GS}=2.5V \) )
    - 先进的沟槽技术:提供优异的 \( R{DS(ON)} \) 和低栅极电荷
    - 无铅且环保:符合RoHS标准,完全通过UIS测试和ΔVds测试
    这些特性使得该产品在高性能开关应用中表现出色,特别是在需要高效率和快速开关的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电源管理系统:用于各种直流-直流转换器和交流-直流整流器中,实现高效能的电压转换。
    2. 电机驱动:适用于工业自动化和消费电子产品中的电机控制,提供平稳且高效的电流调节。
    3. 电池充电电路:在各种便携式设备中,用于快速且稳定的电池充电过程。
    使用建议
    - 在使用过程中确保栅源电压不超过±10V,以防止栅极损坏。
    - 根据实际应用需求选择合适的栅极电阻(通常在3Ω左右),以优化开关性能。
    - 确保良好的散热措施,特别是当功耗较高时,可以采用更大尺寸的散热片或散热风扇。

    兼容性和支持


    - 兼容性:DMN3112SSS-13可与多种常见的电子元件和设备兼容,如各种电源模块、电机控制器和其他功率电子设备。
    - 支持与维护:制造商提供了详尽的技术文档和专业的技术支持服务,确保客户能够充分利用该产品的优势。此外,还提供了全面的质量保证,保障用户长期稳定使用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电压过高导致MOSFET损坏。
    - 解决方案:严格控制栅源电压,避免超过±10V的限制。
    2. 问题:热失控问题。
    - 解决方案:加强散热措施,如使用散热片或散热风扇,并确保电路板设计合理。
    3. 问题:频繁开启和关闭时出现过度损耗。
    - 解决方案:优化驱动信号的波形,确保开关操作平滑,减少开关损耗。

    总结和推荐


    综上所述,DMN3112SSS-13型N沟道增强模式功率MOSFET凭借其优异的性能和广泛的应用范围,在现代电力电子系统中展现出强大的竞争力。其出色的导通电阻、快速的开关速度和坚固的设计使其成为多种应用的理想选择。因此,强烈推荐该产品给需要高性能功率电子器件的设计者和工程师。

MI4410厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

MI4410数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 MI4410 MI4410数据手册

MI4410封装设计

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