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UT4420-S08-R

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: UT4420-S08-R
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  UT4420-S08-R

UT4420-S08-R概述

    # N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DMN3112SSS-13

    产品简介


    DMN3112SSS-13是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电力转换系统、电源管理和电机驱动等领域。该MOSFET具有高可靠性、低导通电阻(RDS(ON))等特点,适用于需要高效率和稳定性的应用场景。

    技术参数


    以下是DMN3112SSS-13的主要技术参数和电气特性:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 20V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±10V
    - 漏极电流 \( ID \)(\( TA=25℃ \)): 10A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 45A
    - 总功耗 \( PD \)(\( TA=25℃ \)): 1.9W
    - 热阻 \( R{θJA} \): 66℃/W
    - 结温和存储温度范围 \( TJ, T{STG} \): -55℃~+150℃
    - 电气特性(\( TJ=25℃ \)):
    - 漏源击穿电压 \( BVDSS \):20V
    - 零栅压漏极电流 \( I{DSS} \):1μA
    - 栅体泄漏电流 \( I{GSS} \):±100nA
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \):0.5~2.0V
    - 静态漏源导通电阻 \( R{DS(ON)} \)(\( V{GS}=4.5V, ID=10A \)): 11mΩ
    - 二极管正向电压 \( V{SD} \)(\( IS=10A, V{GS}=0V \)): 1.2V
    - 输入电容 \( C{iss} \)(\( V{DS}=10V, V{GS}=0V, f=1MHz \)): 888pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):133pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 117pF
    - 总栅电荷 \( Qg \)(\( V{GS}=4.5V, V{DS}=10V, ID=6.8A \)): 11.05nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 1.73nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 3.1nC
    - 开启延迟时间 \( t{D(on)} \)(\( V{GS}=4.5V, V{DS}=10V, ID=6.8A \)): 7ns
    - 开启上升时间 \( tr \): 46ns
    - 关断延迟时间 \( t{D(off)} \): 30ns
    - 关断下降时间 \( tf \): 52ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:在不同工作条件下的导通电阻均低于11mΩ(\( V{GS}=4.5V \)),适用于需要高效率的应用。
    - 先进沟槽技术:先进的沟槽技术提供了优异的 \( R{DS(ON)} \) 和低栅极电荷。
    - 无铅和环保:采用无铅和绿色环保材料,符合环保标准。
    - 100% 测试:提供100%的UIS测试和ΔVds测试,确保产品质量可靠。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    DMN3112SSS-13广泛应用于各种电力转换系统中,例如直流到交流逆变器、直流到直流转换器等。其出色的导通电阻特性使其在电池管理系统中表现出色。
    使用建议
    - 在选择合适的驱动电路时,应注意栅极电荷和开关时间,以减少开关损耗。
    - 建议使用低阻抗的栅极驱动电路来降低开关速度。
    - 注意散热设计,确保热阻不超过66℃/W,以避免因过热而导致的失效。

    兼容性和支持


    - 兼容性:DMN3112SSS-108S-13可与其他同类功率MOSFET兼容,但在具体应用中需要考虑封装和电气特性的匹配。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和应用指南,支持客户进行快速原型设计和量产。

    常见问题与解决方案


    - Q: MOSFET温度过高怎么办?
    - A: 通过增加散热片或改进散热设计来降低温度。确保热阻不超过66℃/W。
    - Q: MOSFET在高频率开关时出现过电压怎么办?
    - A: 使用TVS二极管或其他过电压保护措施来防止过电压对MOSFET造成损害。
    - Q: MOSFET驱动不稳定怎么办?
    - A: 确保驱动电路的设计正确,并且驱动信号有足够的驱动能力。

    总结和推荐


    DMN3112SSS-13凭借其优秀的导通电阻、低栅极电荷和高可靠性,成为电力转换和管理领域的理想选择。该MOSFET在高效率和稳定性能方面表现出色,非常适合在需要高效能电力处理的场合中使用。因此,强烈推荐在高要求的应用场景中使用DMN3112SSS-13。

UT4420-S08-R厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

UT4420-S08-R数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 UT4420-S08-R UT4420-S08-R数据手册

UT4420-S08-R封装设计

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