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XP131A1520SR

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: XP131A1520SR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  XP131A1520SR

XP131A1520SR概述

    DMN3112SSS-13 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    DMN3112SSS-13 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,适用于多种电力转换和驱动应用。该产品具有低导通电阻(RDS(ON)),能够实现高效的开关操作,特别适合于高频应用中。此外,它采用了先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,使得这款MOSFET在电池供电设备、电源管理电路和电机驱动等领域有广泛的应用前景。

    技术参数


    以下是DMN3112SSS-13的主要技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 20 V
    - 栅源电压 (VGS): ±10 V
    - 漏极电流 (ID):
    - TA=25℃: 10 A
    - TA=70℃: 8 A
    - 脉冲漏极电流 (AIDM): 45 A
    - 总功耗 (PD):
    - TA=25℃: 1.9 W
    - TA=70℃: 1.2 W
    - 热阻 (RθJA): 66 ℃/W
    - 结温和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55~+150 ℃
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 20 V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS): 1 μA
    - 栅体漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 0.5~2.0 V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS=4.5V, ID=10A: 11 mΩ
    - VGS=2.5V, ID=4A: 14 mΩ
    - VGS=1.8V, ID=2A: 18.2 mΩ
    - 二极管正向电压 (VSD): 1.2 V
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 888 pF
    - 输出电容 (Coss): 133 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 117 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 11.05 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 1.73 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 3.1 nC
    - 开启延时时间 (tD(on)): 7 ns
    - 开启上升时间 (tr): 46 ns
    - 关闭延时时间 (tD(off)): 30 ns
    - 关闭下降时间 (tf): 52 ns
    - 测试条件
    - 脉冲测试:脉宽≤300 us, 占空比≤2%。

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(ON)低至11 mΩ (VGS=4.5V, ID=10A),使得在高频和高效率应用中表现优异。
    - 先进沟槽技术:提供卓越的RDS(ON)和低栅极电荷。
    - 绿色环保:无铅且符合RoHS标准。
    - 测试保障:100% UIS 测试和ΔVds测试,确保产品性能稳定可靠。

    应用案例和使用建议


    DMN3112SSS-13 在多个应用中都有很好的表现,包括但不限于:
    - 电源转换器:用于提升开关频率和效率,减少热损耗。
    - 电机驱动器:提供高效驱动,减少电磁干扰。
    - 电池供电设备:优化能源管理,延长电池寿命。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑散热设计以满足最高额定温度和热阻的要求。
    - 为确保长期可靠性,建议在使用过程中保持漏源电压和漏极电流不超过绝对最大额定值。
    - 在高频应用中,要注意控制栅极电荷,以避免过高的开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:DMN3112SSS-13 与多种电路设计和应用系统兼容,具体信息请参考制造商的技术文档。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持,包括应用指南、设计工具和在线咨询服务,帮助客户解决设计和应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决办法:根据栅极电荷(Qg)和所需开关速度来选择。通常情况下,驱动电阻的选择应在保证足够开关速度的同时避免过高的栅极驱动电流。

    2. 问题:如何处理过热问题?
    - 解决办法:增加散热片或风扇,优化电路板布局以改善散热效果。确保在高温环境下使用时符合最大额定温度要求。

    总结和推荐


    DMN3112SSS-13是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,具有低导通电阻、先进沟槽技术和环保特性。其在多种应用中表现出色,特别是在高频和高效率场景下。鉴于其优越的性能和广泛的适用性,强烈推荐在需要高效能功率转换的应用中使用。

    希望以上内容能为读者提供有关DMN3112SSS-13的全面了解和应用指导。

XP131A1520SR厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

XP131A1520SR数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 XP131A1520SR XP131A1520SR数据手册

XP131A1520SR封装设计

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