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NTD3055L104G

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: NTD3055L104G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  NTD3055L104G

NTD3055L104G概述

    NTD3055L104G MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NTD3055L104G 是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有以下基本特征:
    - 额定电压:60V(VDS)
    - 连续电流:18A(ID@TC=25°C)至14A(ID@TC=70°C)
    - 脉冲电流:25A(IDM)
    - 先进的沟槽技术,低RDS(ON),适合于各种应用场合,如电源管理、电机驱动等。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - VDS:60V
    - VGS:±20V
    - 最大连续漏极电流:18A(25°C时)至14A(70°C时)
    - 单脉冲雪崩能量:11.25mJ
    - 最大功耗:41.7W(设计保证,不用于生产测试)
    - 电气特性
    - 阈值电压:1.0~3.0V
    - 漏源导通电阻(RDS(ON)):0.073Ω(10V时)至0.085Ω(4.5V时)
    - 输入电容:660pF
    - 输出电容:85pF
    - 传输电容:40pF

    3. 产品特点和优势


    NTD3055L104G 采用了先进的沟槽技术,具备以下几个显著特点:
    - 极低的RDS(ON),适用于高效能应用。
    - 高可靠性,100%UIS和ΔVDS测试。
    - 环保材料,无铅且绿色。

    4. 应用案例和使用建议


    NTD3055L104G 可广泛应用于电源管理、电机驱动等领域。例如,在开关电源设计中,它能够提供更高的效率和更低的功耗。在电机驱动系统中,它可以帮助降低电磁干扰和热损耗。
    使用建议:
    - 在选择工作条件时,要确保在额定电压和电流范围内操作,以避免过载。
    - 在高温环境下工作时,注意散热问题,使用合适的散热器来防止器件过热。

    5. 兼容性和支持


    NTD3055L104G 的封装形式为TO-252-2L,可以轻松安装在PCB上。官方提供了详细的技术支持和售后服务,用户可以通过官方网站获取更多的技术文档和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何判断MOSFET是否损坏?
    解答: 使用万用表测量栅源电压(VGS)和漏源电压(VDS),如果出现异常,则可能是损坏。
    - 问题:如何正确使用MOSFET进行开关控制?
    解答: 确保栅极驱动信号强度足够高,同时要避免长时间高电压应力,以免损伤器件。

    7. 总结和推荐


    NTD3055L104G 是一款优秀的功率MOSFET,凭借其低RDS(ON)、高可靠性和环保特性,非常适合用于高性能电源管理和其他电力电子应用中。强烈推荐给需要高效率和稳定性的项目。

NTD3055L104G厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

NTD3055L104G数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 NTD3055L104G NTD3055L104G数据手册

NTD3055L104G封装设计

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