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IRLR014TRPBF

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: IRLR014TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  IRLR014TRPBF

IRLR014TRPBF概述

    #

    产品简介


    N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET IRLR014TRPBF 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种应用场合。该器件具有较高的耐压能力和较低的导通电阻,使其非常适合用于开关电源、电机驱动器和其他需要高效率转换的应用。它采用先进的沟槽工艺,提供优异的导通电阻和低栅极电荷,确保高效能和高可靠性。
    主要功能
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \):60V
    - 漏电流 \( ID \):最高18A(在25°C时)
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \):25A(300µs脉冲宽度)
    - 最大功耗 \( PD \):41.7W(25°C时)
    应用领域
    - 开关电源
    - 电机驱动器
    - 照明系统
    - 通信设备

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |

    | 漏源电压 | \( V{DS} \) | 60 | V |
    | 栅源电压 | \( V{GS} \) | ±20 | V |
    | 连续漏电流 | \( ID \) | 18A(25°C)
    14A(70°C) | A |
    | 脉冲漏电流 | \( I{DM} \) | 25 | A |
    | 雪崩电流 | \( I{AS} \) | 15 | A |
    | 单次雪崩能量 | \( E{AS} \) | 11.25 | mJ |
    | 最大功耗 | \( PD \) | 41.7W(25°C)
    2.1W(TA = 25°C) | W |
    | 结温和存储温度范围 | \( T{J}, T{STG} \) | -55到150°C | °C |
    热阻
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |

    | 结至环境热阻 | \( R{thJA} \) | 60 | °C/W |
    | 结至外壳热阻 | \( R{thJC} \) | 3 | °C/W |
    静态参数(\( TJ \) = 25°C)
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | \( V{DS} \) | \( V{GS} \)=0V,\( ID \)=250μA | 60 | V |
    | 栅阈值电压 | \( V{GS(th)} \) | \( V{DS} \)= \( V{GS} \),\( ID \)=250μA | 1.0 | 3.0 | V |
    | 零栅源漏电流 | \( I{DSS} \) | \( V{DS} \)=60V,\( V{GS} \)=0V | 1 | 50 | 250 | μA |
    | 导通漏电流 | \( I{D(on)} \) | \( V{DS} \) ≥ 10V,\( V{GS} \)=10V | 20 | A |
    | 导通电阻 | \( R{DS(on)} \) | \( V{GS} \)=10V,\( ID \)=6.6A | 0.073 | Ω
    0.085(\( V{GS} \)=4.5V,\( ID \)=6A) | Ω |
    | 跨导 | \( g{fs} \) | \( V{DS} \)=15V,\( ID \)=6.6A | 25 | S |
    | 输入电容 | \( C{iss} \) | \( V{DS} \)=30V,\( V{GS} \)=0V,f=1MHz | 660 | pF |
    | 输出电容 | \( C{oss} \) | 85 | pF |
    | 反向传输电容 | \( C{rss} \) | 40 | pF |
    动态参数(\( TJ \) = 25°C)
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 总栅极电荷 | \( Qg \) | \( V{DS} \)=30V,\( V{GS} \)=10V,\( ID \)=6.6A | 19.8 | 30 | nC |
    | 栅源电荷 | \( Q{gs} \) | 3.6 | nC |
    | 栅漏电荷 | \( Q{gd} \) | 4.1 | nC |
    | 栅极电阻 | \( Rg \) | f=1MHz | 0.4 | 2 | 4 | Ω |

    产品特点和优势


    IRLR014TRPBF MOSFET 采用了先进的沟槽技术,这使得其在保持较低导通电阻的同时,能够提供优异的跨导性能。以下是它的几个关键特点:
    - 低导通电阻:在 \( V{GS} \) = 10V 和 \( V{GS} \) = 4.5V 下,分别小于 73mΩ 和 85mΩ。
    - 低栅极电荷:典型总栅极电荷为 19.8nC,有助于减少开关损耗。
    - 耐高温能力:工作温度范围从 -55°C 到 150°C,适用于各种严苛环境。
    - 高可靠性:100% UIS 和 ΔVds 测试,保证器件的质量。
    这些特性使得 IRLR014TRPBF 在高效率和高可靠性方面表现出色,广泛应用于工业和消费电子产品中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRLR014TRPBF MOSFET 可以在多种应用场景中发挥重要作用,例如:
    - 开关电源:其低导通电阻和高耐压能力,有助于提高电源转换效率。
    - 电机驱动器:其快速开关特性和高耐温能力,适合用于电机控制和驱动。
    - 照明系统:适用于LED照明系统中的恒流驱动器,提供稳定的输出。
    使用建议
    为了充分利用 IRLR014TRPBF 的性能,建议采取以下措施:
    - 优化电路设计:通过合理选择外围元件,如滤波电容和栅极电阻,来降低开关损耗。
    - 散热管理:由于其较高的功耗,特别是在高电流条件下,建议使用散热片或其他散热装置以保持器件在安全工作范围内。
    - 环境适应性:考虑到其广泛的温度适应范围,建议在设计时考虑极端温度条件下的可靠性和稳定性。

    兼容性和支持


    IRLR014TRPBF MOSFET 支持标准的封装形式 TO-252-2L,并且是无铅和环保材料制造。制造商提供详细的规格文档和设计指南,用户可以在官方网站 www.bychip.cn 获取更多技术支持和售后服务信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 产品是否适用于高频开关应用?
    2. 如何正确处理静电放电(ESD)问题?
    3. 在什么条件下器件会进入雪崩状态?
    解决方案
    1. 适用于高频开关应用:由于其低栅极电荷和快速开关特性,IRLR014TRPBF MOSFET 完全适用于高频开关应用。
    2. 处理静电放电问题:确保所有操作人员穿戴静电防护服,同时使用适当的防静电工作台和工具。
    3. 雪崩状态条件:当 \( V{DS} \) 超过额定值时,器件可能会进入雪崩状态。应确保电路设计中有足够的保护措施,如TVS二极管。

    总结和推荐


    综上所述,IRLR014TRPBF MOSFET 是一款高度可靠的功率器件,具备低导通电阻、高耐压和宽温度范围等特点。在多个应用领域中均表现出色,特别适合用于高效率和高可靠性要求的应用。强烈推荐使用此产品,并建议在具体应用中遵循上述使用建议和注意事项,以实现最佳效果。

IRLR014TRPBF厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

IRLR014TRPBF数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF数据手册

IRLR014TRPBF封装设计

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