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ZXMN6A08KTC

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: ZXMN6A08KTC
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC概述

    N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ZXMN6A08KTC 技术手册



    产品简介




    ZXMN6A08KTC 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于多种工业和消费电子应用。它具有高效率、低导通电阻(RDS(ON))等特点,能够在宽泛的工作温度范围内提供出色的性能。这款 MOSFET 主要应用于开关电源、电机驱动器和照明系统等领域,能够有效提升系统的整体能效。


    技术参数




    绝对最大额定值

    - 漏源电压 (VDS):60 V
    - 栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流 (TC = 25 °C):18 A
    - 脉冲漏极电流 (t = 300 µs):25 A
    - 雪崩电流 (IAS):15 A
    - 单次雪崩能量 (EAS):11.25 mJ
    - 最大功耗 (TC = 25 °C):41.7 W
    - 工作结温和存储温度范围:-55 °C 到 150 °C

    热阻率

    - 结至环境热阻 (PCB 安装):60 °C/W
    - 结至外壳热阻 (漏极):3 °C/W

    规格 (TJ = 25 °C)

    - 静态
    - 漏源击穿电压 (VDS):60 V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):1.0 ~ 3.0 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):≤ 1 µA
    - 开启状态漏极电流 (ID(on)):20 A
    - 开启状态漏源电阻 (RDS(on)):≤ 73 mΩ (VGS = 10 V), ≤ 85 mΩ (VGS = 4.5 V)
    - 跨导 (gfs):25 S
    - 动态
    - 输入电容 (Ciss):660 pF
    - 输出电容 (Coss):85 pF
    - 反向转移电容 (Crss):40 pF
    - 总栅电荷 (Qg):19.8 ~ 30 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):3.6 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):4.1 nC
    - 栅电阻 (Rg):0.4 ~ 4 Ω
    - 动态时间
    - 开通延迟时间 (td(on)):8 ~ 57 ns
    - 上升时间 (tr):11 ~ 87 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):18 ~ 27 ns
    - 下降时间 (tf):5 ~ 16 ns


    产品特点和优势




    ZXMN6A08KTC 的主要特点是:
    - 高可靠性和耐用性:通过 100% UIS 测试和 ΔVds 测试,确保在极端条件下的稳定性能。
    - 先进的沟槽技术:提供低 RDS(ON) 和低栅电荷。
    - 无铅和绿色材料:符合环保要求,可在多种应用中使用。
    - 低导通电阻:RDS(ON) 在 VGS = 10 V 下低于 73 mΩ,在 VGS = 4.5 V 下低于 85 mΩ。


    应用案例和使用建议




    应用案例

    ZXMN6A08KTC 广泛应用于各种电力转换和控制系统,如开关电源、电机驱动器和照明系统。例如,在一个典型的开关电源设计中,ZXMN6A08KTC 可以作为主控开关管,提供高效的电能转换。

    使用建议

    - 散热设计:由于其较低的 RDS(ON),可能需要良好的散热设计以避免过热。
    - 驱动电路:为了充分发挥其性能,建议使用合适的驱动电路来优化栅极电荷管理和信号传输。
    - 测试验证:进行充分的测试,包括长时间运行和高温测试,以确保其长期可靠性。


    兼容性和支持




    ZXMN6A08KTC 与常见的 PCB 封装兼容,且提供全面的技术文档和支持服务。制造商提供详细的安装指南、电气特性数据表和故障排除工具,以便用户快速上手并进行有效的维护。


    常见问题与解决方案




    | 问题 | 解决方案 |
    | ---- | -------- |
    | 过热 | 确保良好散热,考虑增加散热片或风扇。 |
    | 开关频率低 | 检查驱动电路设计,确保足够的栅极电荷管理。 |
    | 导通电阻高 | 检查驱动电压是否达到阈值,调整驱动电路以优化栅极电荷管理。 |


    总结和推荐




    ZXMN6A08KTC 是一款高性能、可靠的 N 沟道增强型功率 MOSFET,特别适合于工业和消费电子领域的电力转换应用。它的低 RDS(ON) 和先进沟槽技术使其在高效率和低功耗方面表现出色。此外,其广泛的温度范围和耐用性进一步提升了其在苛刻环境下的可靠性。总的来说,推荐在需要高效电力转换的应用中使用 ZXMN6A08KTC。

ZXMN6A08KTC厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

ZXMN6A08KTC数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC数据手册

ZXMN6A08KTC封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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