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FQD13N06LTM

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: FQD13N06LTM
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  FQD13N06LTM

FQD13N06LTM概述

    # FQD13N06LTM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQD13N06LTM 是一款适用于电源管理、电机驱动、LED 照明及工业控制等多个领域的高性能 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET。该器件通过先进的沟槽技术实现了低导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷,从而提高了能效和开关速度。该产品符合无铅和绿色标准,已在所有单元上进行了 100% 的UIS 测试和 ΔVds 测试,以确保最高品质。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 门源电压 (VGS): ± 20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在 25°C: 18 A
    - 在 70°C: 14 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 25 A (300 μs 脉冲宽度,脉冲周期小于等于 2%)
    - 单次雪崩电流 (IAS): 15 A
    - 单次雪崩能量 (EAS): 11.25 mJ (L = 0.1 mH)
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在 25°C: 41.7 W
    - 在 TA = 25°C: 2.1 W
    - 热阻抗 (RthJA): 60 °C/W (结到环境,PCB 安装)
    - 热阻抗 (RthJC): 3 °C/W (结到外壳,漏极)
    规格
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60 V
    - 门限电压 (VGS(th)): 1.0 - 3.0 V
    - 门体泄漏电流 (IGSS): ± 250 nA
    - 零门限电压漏极电流 (IDSS):
    - VDS = 60 V, VGS = 0 V: 1 μA
    - VDS = 60 V, VGS = 0 V, TJ = 125 °C: 50 μA
    - VDS = 60 V, VGS = 0 V, TJ = 150 °C: 250 μA
    - 开启状态漏极电流 (ID(on)): 20 A
    - 开启状态漏极源极电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 6.6 A: 0.073 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 6 A: 0.085 Ω
    - 转导电导 (gfs): 25 S
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 660 pF
    - 输出电容 (Coss): 85 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 40 pF
    - 总门电荷 (Qg): 19.8 - 30 nC
    - 门源电荷 (Qgs): 3.6 nC
    - 门极电荷 (Qgd): 4.1 nC
    - 门电阻 (Rg): 0.4 - 2 Ω
    - 开启延迟时间 (td(on)):
    - VDD = 30 V, RL = 9.6 Ω, ID ≈ 5.2 A, VGEN = 10 V, Rg = 1 Ω: 8 - 16 ns
    - 上升时间 (tr): 11 - 20 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 18 - 27 ns
    - 下降时间 (tf): 5 - 10 ns
    源漏二极管参数
    - 连续电流 (IS): 18 A
    - 脉冲电流 (ISM): 25 A
    - 正向电压 (VSD):
    - IF = 5.2 A, VGS = 0 V: 0.8 - 1.5 V
    - 反向恢复时间 (trr): 34 - 51 ns
    - 峰值反向恢复电流 (IRM(REC)): 35 A
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 50 - 75 nC

    3. 产品特点和优势


    - 高耐压 (60 V) 和高连续漏极电流 (18 A),适用于多种高压和高电流应用场景。
    - 低导通电阻 (RDS(ON)):在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 73 mΩ;在 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) < 85 mΩ。
    - 低门极电荷 (Qg),减少了驱动功率,增强了开关速度。
    - 高可靠性:100% UIS 测试和 ΔVds 测试保证了产品的长期稳定性和高可靠性。
    - 符合无铅和绿色环保标准,符合现代电子产品要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:适用于各种直流转换器、电池充电器、负载开关等场合。
    - 工业控制:适合用于电机驱动器、传感器接口等场合。
    - LED 照明:适用于各类 LED 驱动电路,提高效率和稳定性。
    使用建议
    - 在使用过程中要注意散热设计,尤其是高温环境下,避免热失控。
    - 确保正确选择门极驱动信号,以减少不必要的功耗和热量产生。
    - 根据具体的应用场景选择合适的驱动电阻,以优化开关特性和降低损耗。

    5. 兼容性和支持


    FQD13N06LTM 支持多种电源管理、电机驱动、LED 照明及其他类似应用的电子系统。厂家提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够获得最佳的使用体验。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    1. Q: 导通电阻 RDS(on) 随温度变化较大,如何应对?
    A: 确保良好的散热设计,可以使用散热片或者风扇进行散热,同时选择合适的封装以提高热性能。
    2. Q: 开关频率过高导致发热严重,如何解决?
    A: 减少开关频率,选择合适的驱动电阻以减小开关损耗。此外,增加散热措施,如安装散热片或使用外部冷却设备。
    3. Q: 启动时门极电压不稳定,影响器件正常工作。
    A: 确保门极驱动信号稳定且具有足够的驱动能力。可以考虑添加去耦电容以改善电源稳定性。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FQD13N06LTM 是一款性能卓越的 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET。其低导通电阻、低门极电荷、优异的热稳定性和高可靠性使其成为众多应用场景的理想选择。特别是在电源管理和电机驱动领域,FQD13N06LTM 展现出了出色的表现和市场竞争力。因此,我们强烈推荐该产品给寻求高效、可靠和节能解决方案的设计工程师们。

FQD13N06LTM厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

FQD13N06LTM数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 FQD13N06LTM FQD13N06LTM数据手册

FQD13N06LTM封装设计

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500+ ¥ 0.9438
2000+ ¥ 0.8651
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