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FDD13AN06A0

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: FDD13AN06A0
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  FDD13AN06A0

FDD13AN06A0概述

    FDD13AN06A0 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDD13AN06A0 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,专为高效率开关应用设计。其主要功能包括低导通电阻(RDS(ON))和快速开关特性,适用于各种电源管理应用,如DC-DC转换器、电池充电器和电机驱动器等。

    技术参数


    以下是FDD13AN06A0的主要技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 漏极连续电流 (ID): 50 A
    - 漏极连续电流 (TC=100°C): 35.4 A
    - 脉冲漏极电流 (IMD): 200 A
    - 最大功耗 (PD): 85 W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 200 mJ
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 到 175°C
    - 热特性
    - 结到外壳热阻 (RθJC): 1.8°C/W
    - 电气特性
    - 穿透电压 (BVDSS): 60 V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS): ≤ 1 μA
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 1.0 V 至 3.0 V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = 10 V, ID = 20 A: ≤ 12 mΩ
    - VGS = 4.5 V, ID = 20 A: ≤ 16 mΩ
    - 前向跨导 (gFS): 18 S
    - 动态特性:
    - 输入电容 (CISS): ≤ 1630 pF
    - 输出电容 (COSS): ≤ 113 pF
    - 反向传输电容 (CRSS): ≤ 97 pF
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 7.4 ns 至 15 ns
    - 开启上升时间 (tr): 5.1 ns 至 20 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 28.2 ns 至 120 ns
    - 关闭下降时间 (tf): 5.5 ns 至 15.6 ns
    - 总栅电荷 (Qg): 39 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 7 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 8.5 nC
    - 二极管特性:
    - 二极管正向电压 (VSD): ≤ 1.2 V
    - 二极管正向电流 (IS): ≤ 50 A
    - 反向恢复时间 (trr): ≤ 28 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): ≤ 40 nC

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(ON)): 在VGS = 10 V时,RDS(ON) ≤ 12 mΩ;在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) ≤ 16 mΩ。这使得它在高电流应用中具有出色的能效。
    - 先进沟槽技术: 提供优秀的RDS(ON)和低栅电荷,有助于提高开关速度和降低损耗。
    - 无铅和环保: 符合RoHS标准,确保环境友好。
    - 100%测试: 所有产品均经过UIS和ΔVDS测试,确保产品质量和可靠性。

    应用案例和使用建议


    FDD13AN06A0 广泛应用于各种高效率开关电源应用,如DC-DC转换器、电池充电器和电机驱动器。为了充分发挥其性能,建议在设计时注意以下几点:
    - 散热设计: 由于其较高的功耗,需要良好的散热设计以避免过热。
    - 驱动电路: 使用适当的栅极驱动器以确保快速开关,减少开关损耗。
    - 布局优化: 尽量缩短引脚间的走线长度,减少寄生电感,提高开关速度。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FDD13AN06A0 采用TO-252封装,易于与其他电子元器件集成。
    - 支持: 供应商提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的电气特性和热特性曲线图,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中发热严重。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,使用散热片或风扇辅助散热。

    - 问题2: 开关频率过高导致失效。
    - 解决方案: 适当降低开关频率,优化驱动电路,确保栅极驱动信号稳定。
    - 问题3: 开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方案: 添加适当的缓冲电路或吸收网络,减少振铃效应。

    总结和推荐


    FDD13AN06A0是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,以其低导通电阻、快速开关特性和环保特性,在众多应用中表现出色。其先进的沟槽技术和良好的热特性使其成为高效率开关电源的理想选择。我们强烈推荐使用这款产品,尤其是在需要高效率和可靠性的应用场合。

FDD13AN06A0厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

FDD13AN06A0数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 FDD13AN06A0 FDD13AN06A0数据手册

FDD13AN06A0封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 1.704
500+ ¥ 1.573
2000+ ¥ 1.4419
6000+ ¥ 1.3108
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