处理中...

首页  >  产品百科  >  20N06HD

20N06HD

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: 20N06HD
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  20N06HD

20N06HD概述

    # 产品技术手册:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET(20N06HD)

    产品简介


    本手册介绍的是20N06HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET。它是一种高性能的功率场效应晶体管,适用于多种应用场景,如开关电源、电机驱动和工业控制等。这款MOSFET以其出色的导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷而著称,特别适合需要高效率和紧凑设计的应用。

    技术参数


    以下是20N06HD的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | V 60 |
    | 门源电压 | VGS | V | ±20
    | 持续漏极电流 | ID | A 30 |
    | 持续漏极电流(100℃) | ID (100℃) | A 20 |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | A 74 |
    | 最大耗散功率 | PD | W 50 |
    | 降额因子 W/℃ 0.33
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | mJ 144 |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | ℃ | -55 175 |
    特殊参数
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 60
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | VDS=60V, VGS=0V 1 |
    | 门体泄漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V ±100 |
    | 门限电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1.0 | 3.0
    | 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A 27
    | 输入电容 | Ciss 1900
    | 输出电容 | Coss 130
    | 反向传输电容 | Crss | VDS=30V, VGS=0V, F=1.0MHz 95
    | 开关时间延迟 | td(on) 5
    | 关断延迟时间 | td(off) 16.1
    | 关断下降时间 | tf | VDS=30V, RL=1.5Ω, VGS=10V, RG=3Ω 2.3
    | 总门极电荷 | Qg 30
    | 门源电荷 | Qgs 4.5
    | 门极-漏极电荷 | Qgd 7.5
    | 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=30A 1.2
    | 二极管正向电流 | IS | 30 |
    | 反向恢复时间 | trr 35
    | 反向恢复电荷 | Qrr | TJ = 25°C, IF =20A, di/dt = 100A/μs 53

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(ON)): 在VGS = 10V时RDS(ON) < 27 mΩ,在VGS = 4.5V时RDS(ON) < 33 mΩ。
    2. 高级沟槽技术: 提供卓越的导通电阻和低门极电荷。
    3. 环保无铅和绿色材料: 采用环保材料,符合RoHS标准。
    4. 全部进行雪崩测试和ΔVds测试: 确保产品质量稳定。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
    - 电机驱动:适用于步进电机、伺服电机等。
    - 工业控制:广泛应用于各种工业控制系统。
    使用建议
    - 在选择散热方案时,注意热阻抗RθJC为3 ℃/W。
    - 在高电流情况下,确保电路板设计合理以避免过热。

    兼容性和支持


    - 20N06HD支持表面贴装技术,适合FR4电路板。
    - 厂商提供全面的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,如增加散热片或改进电路板布局。

    2. 噪声干扰:
    - 解决方案: 增加滤波电容,减少电源线路中的电磁干扰。
    3. 关断延迟时间长:
    - 解决方案: 优化栅极电阻RG,以缩短关断延迟时间。

    总结和推荐


    20N06HD是一款性能卓越的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,具有低导通电阻、高级沟槽技术和环保特性。其在开关电源、电机驱动及工业控制领域的广泛应用证明了其优越性。推荐在对效率和稳定性要求较高的场合使用。

20N06HD厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

20N06HD数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 20N06HD 20N06HD数据手册

20N06HD封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 1.278
500+ ¥ 1.1797
2000+ ¥ 1.0814
6000+ ¥ 0.9831
库存: 50000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 12.78
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
0.731.301 ¥ 980.0982
0.87.0023.0 ¥ 113.6533
0.87.0033.0 ¥ 474.4184
0.87.0055.0 ¥ 33.4765
0.87.0089.0 ¥ 40.9428
0.891.606 ¥ 556.556
0.891.607 ¥ 556.556
00 21 02 EL ¥ 5164.7191
00 21 36 LE ¥ 4503.9297
000648 ¥ 606.879