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ME55N06

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: ME55N06
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  ME55N06

ME55N06概述

    # ME55N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    ME55N06 是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的导通电阻和低门极电荷。这款器件采用先进的沟槽技术制造,广泛应用于各种电力转换系统,如开关电源、电机驱动器、电池充电器等。

    技术参数


    极限参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 持续漏电流 \( ID \): 50A (室温)
    - 持续漏电流 \( ID \) (100℃): 35.4A
    - 单脉冲漏电流 \( I{DM} \): 200A
    - 最大功耗 \( PD \): 85W
    - 功率降额系数: 0.57 W/℃
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 200mJ
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55℃ 至 175℃
    - 热阻 \( R{\theta JC} \) (结到壳): 1.8℃/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压 \( BVDSS \): 60V
    - 零栅压漏电流 \( I{DSS} \): 1μA (VDS=60V, VGS=0V)
    - 栅体漏电流 \( I{GSS} \): ±100nA (VGS=±20V, VDS=0V)
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0V 至 3.0V
    - 导通电阻 \( R{DS(ON)} \):
    - VGS=10V, ID=20A: < 12mΩ
    - VGS=4.5V, ID=20A: < 16mΩ
    - 前向跨导 \( g{FS} \): 18S
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1630pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 113pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 97pF
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \):
    - VGS=5V: 15ns
    - VGS=10V: 7.4ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \):
    - VGS=5V: 120ns
    - VGS=10V: 28.2ns
    - 总栅电荷 \( Qg \): 39nC
    - 源极-漏极二极管特性:
    - 正向电压 \( V{SD} \): 1.2V
    - 正向电流 \( IS \): 50A
    - 反向恢复时间 \( t{rr} \): 28ns

    产品特点和优势


    特点和优势
    - 出色的导通电阻:在10V和4.5V栅电压下,RDS(ON)分别小于12mΩ和16mΩ,适合高效功率转换应用。
    - 先进的沟槽技术:提供较低的导通电阻和门极电荷,适用于高频开关电路。
    - 环保材料:无铅且绿色材料,符合RoHS标准。
    - 全检测试:所有器件都经过UIS和ΔVds测试,确保质量稳定可靠。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ME55N06广泛应用于多种电力转换系统中,例如开关电源、电机驱动器和电池充电器等。它在这些系统中的优势在于其高效率和低损耗。
    使用建议
    - 在设计开关电源时,合理选择驱动电阻以降低开关损耗。
    - 在高温环境下使用时,注意功耗和散热管理,避免过热损坏。
    - 在选择栅极驱动电压时,根据具体应用场景选择合适的栅极电压,以平衡效率和可靠性。

    兼容性和支持


    兼容性
    ME55N06与现有的多种电源管理和电机控制设备兼容,可以在多种电路拓扑中灵活使用。
    支持和服务
    制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括全面的产品规格和详细的电气特性和热特性图表,帮助用户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:长时间高电流工作导致过热。
    - 解决方案:增加散热片或者改进冷却方案,确保器件在安全的工作温度范围内运行。
    2. 问题:开关频率过高导致门极电荷过多。
    - 解决方案:选择更低门极电荷的MOSFET,或者优化驱动电路设计。
    3. 问题:高频率开关时产生较大的EMI。
    - 解决方案:在电路中添加EMI滤波器,减少噪声干扰。

    总结和推荐


    综合评估
    ME55N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 在高效电力转换系统中表现出色,特别是在需要高效率和低损耗的应用中。其出色的导通电阻、先进的技术以及环保材料使其成为市场上非常有竞争力的产品。
    推荐使用
    综上所述,ME55N06是一款非常值得推荐的高性能功率MOSFET。它不仅在应用中表现出色,而且制造商提供的详尽的支持和服务也为其增色不少。无论是对于初学者还是经验丰富的工程师来说,都是一个不错的选择。

ME55N06厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

ME55N06数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 ME55N06 ME55N06数据手册

ME55N06封装设计

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500+ ¥ 1.573
2000+ ¥ 1.4419
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