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2SC4672R

产品分类:
产品描述:
供应商型号: 2SC4672R SOT-89
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  2SC4672R

2SC4672R概述

    2SC4672P/Q/R NPN 塑料封装晶体管技术手册

    1. 产品简介


    2SC4672P/Q/R 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 生产的NPN塑料封装晶体管。该产品广泛应用于各类电子设备中,特别是在需要高可靠性的放大电路和开关控制方面表现出色。其主要功能包括电流放大、信号处理和电压转换等。

    2. 技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 测量条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VCBO | 集电极-基极击穿电压 | IC=50µA, IE=0 | 60 V |
    | VCEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=1mA, IB=0 | 50 V |
    | VEBO | 发射极-基极击穿电压 | IE=50µA, IC=0 | 6 V |
    | IC | 连续集电极电流 2 | A |
    | ICP | 脉冲集电极电流 4 | A |
    | PC | 集电极耗散功率 500 | mW |
    | Tj | 结温 150 | °C |
    | Tstg | 存储温度范围 -55 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:该晶体管在极端条件下仍能保持稳定的工作状态。
    - 高击穿电压:集电极-基极、集电极-发射极和发射极-基极击穿电压分别为60V、50V和6V,确保了良好的电气稳定性。
    - 宽工作电流范围:连续集电极电流可达2A,脉冲集电极电流可达4A。
    - 低饱和电压:集电极-发射极饱和电压低至0.35V,有利于提高效率。
    - 高增益带宽积:过渡频率为100MHz,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:2SC4672P/Q/R 主要应用于放大电路、开关电源、电池充电器等领域。例如,在音频放大器中,用于增强音频信号的功率输出;在开关电源中,作为开关管使用以提高效率。
    使用建议:
    - 确保集电极电流不超过最大允许值2A,以避免过热损坏。
    - 在高频应用时,需注意过渡频率限制,避免因频率过高而导致性能下降。
    - 在设计电路时,考虑到散热问题,选择合适的散热片以确保晶体管正常工作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该晶体管适用于大多数标准的电路设计,可以与其他常见的NPN晶体管互换使用。
    - 技术支持:制造商提供了详细的技术文档和支持服务,如有疑问可随时联系客服获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 晶体管工作不稳定 | 检查输入信号是否超过规定范围,调整输入信号强度。 |
    | 温度过高 | 加装散热片或采用更好的散热方式,降低工作温度。 |
    | 输出电流不足 | 确认输入电压和电流是否满足要求,检查电路连接。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,2SC4672P/Q/R 是一款高性能的NPN塑料封装晶体管,具备高击穿电压、宽工作电流范围和低饱和电压等特点,非常适合在高可靠性要求的应用场景中使用。其在音频放大器、开关电源和电池充电器等领域具有广泛的应用前景。强烈推荐在需要高可靠性和高性能的应用中使用该晶体管。

2SC4672R厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

2SC4672R数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 2SC4672R 2SC4672R数据手册

2SC4672R封装设计

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