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NUP2115LT3G

产品分类:
产品描述:
供应商型号: NUP2115LT3G SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  NUP2115LT3G

NUP2115LT3G概述

    NUP2115LT3G ESD保护二极管技术手册

    产品简介


    NUP2115LT3G是一款专为保护敏感半导体组件免受静电放电(ESD)及其他电压引起的瞬态事件损害而设计的ESD保护二极管。它适用于单向线保护应用,在阵列式应用不实用的情况下提供灵活性。本产品由华轩阳电子科技有限公司生产,广泛应用于需要高可靠性ESD防护的电子产品中。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs) | 160 | W |
    | 最大引脚焊接温度 (10秒) | 260 | °C |
    | 存储温度范围 | -55到+150 | °C |
    | 工作温度范围 | -55到+125 | °C |
    | 最大结温 | 150 | °C |
    | IEC61000-4-2 (ESD) 空气放电接触放电 | ±30 KV |

    产品特点和优势


    1. 低泄漏电流:确保在正常操作时泄漏电流极低,减少不必要的能耗。
    2. IEC61000-4-2标准ESD保护:符合国际ESD保护标准,能够在工业应用中提供可靠保护。
    3. 无铅环保材料:符合RoHS标准,不含卤素,对环境友好。

    应用案例和使用建议


    NUP2115LT3G适用于各种需要ESD防护的应用,例如:
    - 移动设备:手机、平板电脑
    - 消费电子:智能穿戴设备
    - 工业自动化:传感器和控制器
    使用建议:
    1. 在设计电路板布局时,确保ESD保护二极管的位置能够有效吸收并分散静电放电能量。
    2. 结合其他保护措施如TVS二极管,以提升整体系统的抗ESD能力。

    兼容性和支持


    NUP2115LT3G采用SOT-23封装,可轻松集成到现有系统中。华轩阳电子科技有限公司提供全面的技术支持和服务,包括样品供应、技术支持和产品定制。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备出现ESD损坏 | 检查并更换NUP2115LT3G |
    | 静电释放后设备无法正常启动 | 确保安装正确并重新测试 |

    总结和推荐


    NUP2115LT3G是一款高性能、低成本的ESD保护二极管,非常适合用于多种电子产品中。其优秀的ESD防护能力和兼容性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐使用NUP2115LT3G以确保您的产品具备出色的ESD防护能力。

NUP2115LT3G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NUP2115LT3G数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NUP2115LT3G NUP2115LT3G数据手册

NUP2115LT3G封装设计

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