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FMMT493TA

产品分类:
产品描述:
供应商型号: FMMT493TA SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  FMMT493TA

FMMT493TA概述

    FMMT493TA NPN Plastic-Encapsulate Transistor 技术手册

    产品简介


    FMMT493TA 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(Huaxuanyang HXY)生产的 NPN 塑料封装晶体管。该产品广泛应用于各种电子设备和系统中,如电源管理、音频放大器、开关电路等领域。FMMT493TA 采用了紧凑的 SOT-23 封装形式,具有良好的热稳定性,使其成为众多应用场合的理想选择。

    技术参数


    以下是 FMMT493TA 的关键技术和电气特性参数:
    - 最大额定值:
    - 集电极-基极击穿电压 (VCBO): 120 V
    - 集电极-发射极击穿电压 (VCEO): 100 V
    - 发射极-基极击穿电压 (VEBO): 5 V
    - 集电极电流 (IC): 1 A
    - 脉冲峰值电流 (ICM): 2 A
    - 集电极耗散功率 (PC): 250 mW
    - 结点到环境的热阻 (RΘJA): 500 °C/W
    - 操作和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C ~ +150°C
    - 电气特性:
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 120 V
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 100 V
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO): 5 V
    - 集电极截止电流 (ICBO): 100 nA
    - 发射极截止电流 (IEBO): 100 nA
    - 直流电流增益 (hFE):
    - IC = 1 mA: 300
    - IC = 500 mA: 60
    - IC = 1 A: 20
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):
    - IC = 500 mA, IB = 50 mA: 0.3 V
    - IC = 1 A, IB = 100 mA: 0.6 V
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): 1.15 V
    - 基极-发射极电压 (VBE): 1 V
    - 转换频率 (fT): 150 MHz

    产品特点和优势


    FMMT493TA 的主要特点是其高耐压能力和出色的直流电流增益,这些特性使得它非常适合于需要高可靠性的电子系统中。此外,其 SOT-23 封装形式有助于减小整体电路板面积,提高空间利用率。这些优势使其在市场上具有较强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    FMMT493TA 可广泛应用于以下领域:
    - 电源管理: 作为开关电路中的晶体管,用于控制和调节电源输出。
    - 音频放大器: 用作放大电路中的增益级,提高信号强度。
    - 通信设备: 用于信号处理和传输中的调制解调器。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保集电极和发射极的电压不超过最大额定值,避免击穿风险。
    - 根据需要选择合适的电流增益和饱和电压参数,以满足具体应用要求。
    - 适当增加散热措施,尤其是在高功耗应用中,以确保结点温度不超出允许范围。

    兼容性和支持


    FMMT493TA 可以与其他标准 NPN 晶体管兼容,适用于多种电路布局。厂商提供了详细的技术支持和维护服务,帮助客户解决可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 集电极电流 (IC) 超过额定值导致损坏。
    - 解决方案: 检查并调整电路中的电流限制,确保不超过额定值。
    - 问题: 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)) 过高。
    - 解决方案: 适当降低基极驱动电压,确保电路正常工作。
    - 问题: 高温下器件性能下降。
    - 解决方案: 添加适当的散热片或散热装置,确保器件在安全温度范围内运行。

    总结和推荐


    综上所述,FMMT493TA NPN 塑料封装晶体管是一款高性能、可靠性强的产品,适用于广泛的电子应用。其优良的技术参数和设计特点使其成为众多电子系统中的理想选择。强烈推荐使用该产品,特别是在需要高可靠性和良好性能的应用场合中。
    如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请联系深圳华轩阳电子有限公司获取帮助。

FMMT493TA厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FMMT493TA数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FMMT493TA FMMT493TA数据手册

FMMT493TA封装设计

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