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GG040205100N2P

产品分类:
产品描述:
供应商型号: GG040205100N2P DFN1006-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  GG040205100N2P

GG040205100N2P概述


    产品简介


    GG040205100N2P ESD 保护二极管是专为防止静电放电(ESD)及其他电压瞬态事件导致的组件损坏而设计的高性能电子元件。该产品属于DFN1006-2L封装,主要应用于需要高度保护敏感半导体器件的应用场合。这些应用包括消费电子产品、通信设备、汽车电子等,确保在严苛的工作环境下能有效保护电路安全。

    技术参数


    | 参数名称 | 描述及数值 |

    | 峰值脉冲功率(8/20μs) | 66 W |
    | 最大引脚温度(焊接10秒) | 260°C |
    | 存储温度范围 | -55°C 至 +150°C |
    | 工作温度范围 | -40°C 至 +125°C |
    | 最大结温 | 150°C |
    | IEC61000-4-2 ESD 等级 | 空气放电:±25KV |
    接触放电:±20KV |
    | 正向电压(IR1 @ VRWM) | ≤3.5V |
    | 电容 | 10 pF |
    | 最大工作电流(IPP @ VC) | 5.5 A |
    | 峰值脉冲电流(IPP @ VC) | 8.0 A |

    产品特点和优势


    - 快速响应时间:响应时间通常小于1纳秒,确保及时有效的保护。
    - 卓越的钳位能力:低泄漏电流和低电容设计,使保护性能更优异。
    - 灵活的设计选择:适合保护双向线路,尤其在阵列不可行的应用场合。
    - 高抗ESD能力:符合IEC61000−4−2 Level 4标准,提供高标准的保护。
    - 环保材料:无铅设计,符合RoHS和无卤素要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:本产品广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中,用于保护USB端口、HDMI接口等易受ESD影响的关键部位。此外,在汽车电子领域也有广泛应用,如车载娱乐系统、车载导航系统等。
    使用建议:
    1. 布线建议:尽量缩短信号线与地之间的距离,减少寄生电感和电阻。
    2. 散热措施:确保在高温环境下使用时,通过合理的散热设计保持器件工作在正常温度范围内。
    3. 合理布局:将ESD保护二极管靠近被保护区域,以降低耦合噪声的影响。

    兼容性和支持


    本产品与常见的PCB制造工艺兼容,适用于多种焊锡工艺。HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中遇到问题能够得到及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何确定二极管是否受损?
    A: 使用万用表测量其正反向电阻,如果差异明显,则说明正常;反之则可能已经损坏。
    2. Q: 如何处理焊接时温度过高的问题?
    A: 采用适当的焊接设备和控制焊接温度,避免超过最大允许焊接温度260°C。
    3. Q: 如何判断是否需要额外的保护措施?
    A: 考虑到具体应用环境的复杂性,可咨询HUA XUAN YANG ELECTRONICS的技术支持团队获取专业意见。

    总结和推荐


    综上所述,GG040205100N2P ESD保护二极管凭借其出色的性能、高可靠性及广泛的应用场景,在众多同类产品中脱颖而出。它不仅具有卓越的ESD保护能力,还具备良好的兼容性和全面的支持服务。因此,我们强烈推荐这款产品用于各种需要严格保护电子器件免受电压瞬态影响的应用场合。

GG040205100N2P厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

GG040205100N2P数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 GG040205100N2P GG040205100N2P数据手册

GG040205100N2P封装设计

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