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CG65200DBA

产品分类:
产品描述:
供应商型号: CG65200DBA DFN-8L(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  CG65200DBA

CG65200DBA概述


    产品简介


    本产品是来自深圳市华宣阳电子有限公司的CG65200DBA型氮化镓(GaN)增强模式功率晶体管,采用无引脚扁平封装(DFN),尺寸为5mm x 6mm。作为增强模式晶体管,CG65200DBA是一种通常处于关闭状态的电源开关。其主要用于AC-DC转换器、DC-DC转换器、图腾柱功率因数校正(Totem Pole PFC)、快速电池充电、高密度和高效率功率转换等应用领域。这款产品符合工业应用标准,并已通过JEDEC标准认证。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 | 备注/测试条件 |

    | 最大栅源电压 | VGS | -1.4 - +7| V | 结温范围:-55°C到+150°C |
    | 漏极-源极电压 | VDS,max | - | V | 栅极电压为0V时 |
    | 漏极-源极最大脉冲电流 | ID,pulse | - | A | 脉冲宽度=10 μs |
    | 最大功率耗散 | Ptot | - | W | 结温25°C时 |
    | 热阻,结-壳 | RthJC | - | °C/W
    | 栅阈值电压 | VGS(TH) | 1.2 - 2.5| V | ID = 11mA,VDS = VGS |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | 160 - 200| mΩ | 栅极电压6V时 |

    产品特点和优势


    1. 增强模式晶体管:通常处于关闭状态,提高了系统的安全性。
    2. 超高速切换:能够在高频下工作,降低系统体积和成本。
    3. 无反向恢复电荷:避免了反向恢复期间的能量损失,提高了效率。
    4. 低栅电荷和输出电荷:减少了开关损耗,提高了整体效率。
    5. 环境友好:符合RoHS、Pb-free和REACH标准,无铅环保。

    应用案例和使用建议


    CG65200DBA广泛应用于各类功率转换电路中,例如AC-DC转换器、DC-DC转换器和高密度功率转换。例如,在设计AC-DC转换器时,可以利用其超高速切换特性来提高效率并减少发热。为了进一步优化性能,建议在设计电路时尽量减小栅极电阻,以减少驱动功率损耗。

    兼容性和支持


    该产品与常见的DFN8L封装兼容,可方便地进行替换和升级。制造商提供了详细的电气特性和热管理指南,同时也提供了技术支持热线和在线资源,帮助客户解决问题和实现最佳性能。

    常见问题与解决方案


    1. 栅极电压超出范围:
    - 解决方法:确保栅极电压不超过规定的最大值,必要时添加外部限流电阻。

    2. 温度过高导致失效:
    - 解决方法:增加散热片或者选择更高散热性能的封装,保证工作温度在规定范围内。

    总结和推荐


    CG65200DBA是一款高性能的氮化镓增强模式功率晶体管,特别适合于需要高效率和高功率密度的应用。其独特的特性如低栅电荷、高可靠性和广泛的适用性使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐在各种高效功率转换电路中使用这款产品。

CG65200DBA厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

CG65200DBA数据手册

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CG65200DBA封装设计

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