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KMB3D5N40SA

产品分类:
产品描述:
供应商型号: KMB3D5N40SA SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  KMB3D5N40SA

KMB3D5N40SA概述

    KMB3D5N40SA N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    KMB3D5N40SA 是一款先进的N沟道增强型MOSFET,适用于电池保护及开关应用。该产品采用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,能在最低4.5V的栅极电压下正常工作。凭借这些特性,它非常适合在严苛的工作环境中运行。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - VDS(漏源电压):40V
    - VGS(栅源电压):±20V
    - ID(连续漏电流,Tc=25℃):5A
    - ID(连续漏电流,Tc=70℃):4.2A
    - PD(功率耗散,Tc=25℃):1.56W
    - TSTG(存储温度范围):-55至150℃
    - TJ(工作结温范围):-55至150℃
    - RθJA(热阻,结到环境):80℃/W
    - 静态电气特性
    - V(BR)DSS(漏源击穿电压,VGS=0V,ID=250μA):40V
    - IDSS(零栅极电压漏电流,TA=25℃,VDS=40V,VGS=0V):1μA
    - IGSS(栅体泄漏电流,VGS=±20V,VDS=0V):±100nA
    - VGS(TH)(栅极阈值电压,VDS=VGS,ID=250μA):0.7-2.5V
    - RDS(ON)(导通电阻,VGS=10V,ID=5A):<38mΩ
    - RDS(ON)(导通电阻,VGS=4.5V,ID=4A):<52mΩ
    - 动态电气特性
    - Ciss(输入电容,VDS=20V,VGS=0V,f=1MHz):340pF
    - Coss(输出电容):60pF
    - Crss(反向转移电容):30pF
    - Rg(栅极电阻,f=1MHz):7.8Ω
    - Qg(总栅极电荷,VDS=20V,ID=5A,VGS=10V):5.8nC
    - 开关特性
    - td(on)(导通延迟时间,VDD=20V,ID=3.5A,RG=1Ω,VGS=4.5V):4.1ns
    - tr(导通上升时间):11.6ns
    - td(off)(关断延迟时间):24ns
    - tf(关断下降时间):7.6ns
    - 源漏二极管特性
    - ISD(源漏电流,体二极管,TA=25℃):1.75A
    - VSD(正向导通电压,Tj=25℃,ISD=3.5A,VGS=0V):0.79-1.2V

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(ON)<38mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<52mΩ@VGS=4.5V,使得器件能高效工作并降低损耗。
    - 宽工作温度范围:-55至150℃,适用于恶劣环境下的各种应用。
    - 高可靠性:采用先进的沟槽技术,提供优异的稳定性和长寿命。
    - 快速开关特性:低td(on)和tf,确保高速操作,减少功耗和热量。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 电池保护:应用于各种电池管理系统中,以保护电池免受过充和过放的损害。
    - 负载开关:广泛用于电源管理和切换控制电路中,提高系统的可靠性和效率。
    - 不间断电源:确保系统在主电源故障时能够持续供电,提供无缝切换功能。
    - 使用建议
    - 在选择合适的栅极电阻时,确保td(on)和td(off)在合理范围内,以优化系统的开关速度和功耗。
    - 考虑热管理策略,如散热片或风扇,以确保MOSFET在高温环境下正常运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:KMB3D5N40SA 采用标准SOT-23封装,便于与其他SOT-23封装的器件兼容。
    - 支持和服务:华宣阳电子有限公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、故障诊断和更换服务。客户可以访问公司网站获取更多信息和支持资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET在高电流状态下出现过热现象。
    - 解决方案:检查电路中的电流路径,确保合适的散热措施,如安装散热片或风扇。
    - 问题2:开关过程中的噪声干扰。
    - 解决方案:增加栅极电阻,减少td(on)和td(off)的时间,优化电源旁路电容布局。
    - 问题3:设备在低温环境下的工作不稳定。
    - 解决方案:确保MOSFET的工作温度在其允许的工作范围之内,采取适当的预热措施。

    7. 总结和推荐


    KMB3D5N40SA是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,具备低导通电阻、快速开关特性和宽工作温度范围。其在电池保护、负载开关和不间断电源等多种应用中表现出色。对于需要高可靠性和高效能的应用,KMB3D5N40SA是一个理想的选择。强烈推荐在关键的电力管理系统中使用这款产品,以实现最优的性能和稳定性。

KMB3D5N40SA厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

KMB3D5N40SA数据手册

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KMB3D5N40SA封装设计

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