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NTMFS4C08NT1G

产品分类:
产品描述:
供应商型号: NTMFS4C08NT1G DFN-5(5X6)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  NTMFS4C08NT1G

NTMFS4C08NT1G概述

    NTMFS4C08NT1G N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTMFS4C08NT1G 是一款由深圳市华宣阳电子有限公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。它采用先进的沟槽技术制造,具备出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和能够以最低 4.5V 的栅极电压工作等特点。这款 MOSFET 适用于电池保护、负载开关和不间断电源等多种应用领域。

    2. 技术参数


    - 封装:DFN5X6-8L(DFN-5(5x6))
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 连续漏电流 (ID@TC=25℃, VGS @ 10V): 120A
    - 连续漏电流 (ID@TC=100℃, VGS @ 10V): 66A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 320A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 180mJ
    - 雪崩电流 (IAS): 60A
    - 最大功耗 (PD@TC=25℃): 187W
    - 热阻 (RθJA): 1.62℃/W
    - 热阻 (RθJC): 1.1℃/W
    - 电气特性
    - 击穿电压 (BVDSS): 30V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)): VGS=10V, ID=30A时,典型值为 3.5mΩ,最大值为 4.4mΩ;VGS=4.5V, ID=15A时,典型值为 4.6mΩ,最大值为 5.8mΩ
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 1.2V 到 2.5V
    - 漏源泄漏电流 (IDSS): VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ 时,最大值为 1μA;VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ 时,最大值为 5μA
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): VGS=±20V, VDS=0V 时,最大值为 ±100nA
    - 前向转移导纳 (gfs): 50S
    - 栅极电阻 (Rg): 1.7Ω
    - 总栅极电荷 (Qg): 56.9nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 13.8nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 23.5nC
    - 开启延迟时间 (Td(on)): 20.1ns
    - 上升时间 (Tr): 6.3ns
    - 关闭延迟时间 (Td(off)): 124.6ns
    - 下降时间 (Tf): 15.8ns
    - 输入电容 (Ciss): 4345pF
    - 输出电容 (Coss): 340pF
    - 反向传输电容 (Crss): 225pF
    - 连续源电流 (IS): 85A
    - 二极管正向电压 (VSD): 1.2V

    3. 产品特点和优势


    NTMFS4C08NT1G 具有如下特点:
    - 高效率:通过先进的沟槽技术,RDS(ON) 低至 3.5mΩ,可有效减少功率损耗。
    - 快速响应:栅极电荷低,使得开关速度更快,适用于高频率应用。
    - 广泛适用性:适用于多种电路设计,包括电池保护、负载开关和不间断电源等。
    - 高可靠性:采用高性能材料,能够在极端温度下稳定工作,热阻低。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电池保护:适用于移动设备和其他需要可靠电池保护的应用。建议在选择合适的外部保护电路时考虑其耐压和耐流能力。
    - 负载开关:适合用于高速切换电路。建议使用时注意散热措施,确保器件正常工作。
    - 不间断电源:在高可靠性的不间断电源系统中,可以作为关键的电源转换组件。建议使用时严格遵循手册中的建议和参数限制。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与其他标准 DFN5X6-8L 封装的 MOSFET 具有良好的互换性,可根据具体需求进行选择。
    - 支持:深圳市华宣阳电子有限公司提供详尽的技术支持,包括使用手册、设计指南和技术咨询。客户可以随时联系技术支持团队获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 器件在高温环境下工作时温度过高,导致失效。
    - 解决方案: 使用合适的散热器,确保器件的工作温度不超过规定范围。
    - 问题2: 开关速度慢,影响整体性能。
    - 解决方案: 优化电路布局,减小线路杂散电感,同时确保器件的栅极驱动电路足够强大。
    - 问题3: 开关过程中出现过压现象。
    - 解决方案: 在电路中加入适当的箝位电路或瞬态抑制二极管,以保护器件不受损坏。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTMFS4C08NT1G N 沟道增强型 MOSFET 具有出色的性能和广泛的应用前景。其高效的性能和广泛的适用性使其成为许多电路设计的理想选择。尽管如此,设计者在使用该器件时仍需谨慎,确保在合理的工作范围内使用。总的来说,强烈推荐此款 MOSFET 给需要高效、可靠解决方案的设计工程师们。

NTMFS4C08NT1G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTMFS4C08NT1G数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NTMFS4C08NT1G NTMFS4C08NT1G数据手册

NTMFS4C08NT1G封装设计

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