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NUP2115LT1G

产品分类:
产品描述:
供应商型号: NUP2115LT1G SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  NUP2115LT1G

NUP2115LT1G概述

    NUP2115LT1G 电子元器件技术手册

    产品简介


    NUP2115LT1G 是一款专为保护敏感半导体组件免受静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件损害而设计的瞬态抑制二极管。它具备出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间,能够为暴露于 ESD 的设计提供最佳保护。该二极管尤其适用于保护单向线,且在难以使用阵列的情况下提供了设计灵活性。

    技术参数


    - 峰值脉冲功率:160W(tp = 8/20μs)
    - 最大引脚焊接温度(10秒):260°C
    - 存储温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 操作温度范围:-55°C 到 +125°C
    - 最大结温:150°C
    - ESD 保护等级:符合 IEC61000-4-2 标准,空气放电±30KV,接触放电±30KV
    - 反向工作电压 VRWM:40V
    - 最大脉冲电流 IPP:4A
    - 最大峰值功率 PPK:160W
    - 封装形式:SOT-23

    产品特点和优势


    - 低泄漏电流:确保在没有瞬态事件时,组件能保持较低的泄漏电流。
    - 高可靠性 ESD 保护:符合 IEC61000-4-2 Level 4 标准,提供卓越的 ESD 保护。
    - 环保材料:材料符合 RoHS 要求,无卤素。
    - 灵活的应用场景:适用于需要单向线保护的设计,尤其在难以使用阵列的情况下。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备等领域,特别是那些需要保护单向线的应用。
    - 使用建议:
    - 确保安装时遵循建议的焊点温度,以避免焊接过程中损坏组件。
    - 在设计保护电路时,考虑增加冗余设计以提高整体系统的可靠性。
    - 针对具体应用场景,如需更高电压保护,可联系制造商定制不同电压等级的产品。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NUP2115LT1G 采用 SOT-23 封装,易于与其他标准 SOT-23 封装的元器件兼容。
    - 支持和服务:HUA XUAN YANG ELECTRONICS 提供详尽的技术支持文档,并可针对客户的具体需求提供定制服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品无法正常启动。
    - 解决方案:检查安装是否正确,确保所有连接稳固,且焊接温度未超过最大值。
    - 问题2:设备受到 ESD 损害。
    - 解决方案:确认安装了足够的保护措施,如额外的 ESD 保护器件,并重新评估设计中的保护策略。

    总结和推荐


    NUP2115LT1G 在同类产品中表现优异,具备出色的 ESD 保护能力和低泄漏电流。其设计灵活性使其适用于多种应用场景,特别是在单向线保护方面具有显著优势。考虑到其高可靠性、环保特性和广泛的应用范围,强烈推荐在设计要求较高的场合中使用。

NUP2115LT1G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NUP2115LT1G数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NUP2115LT1G NUP2115LT1G数据手册

NUP2115LT1G封装设计

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