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GL05T-HE3-18

产品分类:
产品描述:
供应商型号: GL05T-HE3-18 SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  GL05T-HE3-18

GL05T-HE3-18概述


    产品简介


    GL05T-HE3-18 ESD保护二极管 是华宣阳电子有限公司生产的一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专门设计用于保护高速数据接口免受静电放电(ESD)引起的过压损伤。这种二极管特别适用于连接到数据传输线上的敏感电子组件,确保它们在面临ESD威胁时的安全运行。

    技术参数


    - 峰值脉冲功率:\( \text{PPP} = 300\,\text{W} \) (8/20微秒)
    - 最大引脚焊接温度(10秒内):\( \text{TL} = 260\,^\circ\text{C} \)
    - 存储温度范围:\( \text{Tstg} = -55\,^\circ\text{C} \sim +155\,^\circ\text{C} \)
    - 工作温度范围:\( \text{Top} = -40\,^\circ\text{C} \sim +125\,^\circ\text{C} \)
    - 最大结温:\( \text{Tj} = 150\,^\circ\text{C} \)
    - IEC 61000-4-2 (ESD):接触放电 \( \pm 10\,\text{kV} \),空气放电 \( \pm 15\,\text{kV} \)
    - IEC 61000-4-4 (EFT):40A(5/50ns)

    产品特点和优势


    1. 高ESD防护等级:支持高达 \( \pm 15\,\text{kV} \) 的接触放电和空气放电。
    2. 峰值功率消散能力:达到 300W(8/20微秒)。
    3. 工作电压:适用于5V工作电压。
    4. 低钳位电压和泄漏电流:保证在保护数据线路的同时,不影响信号的正常传输。
    5. 体积小:采用SOT-23封装,适合紧凑设计的电路板。

    应用案例和使用建议


    应用场景:适用于各种高速数据接口的保护,例如USB、HDMI、LAN接口等。这些接口经常暴露于ESD威胁之下,因此使用GL05T-HE3-18可以显著提高系统的可靠性。
    使用建议:
    1. 在选择位置时,尽量将TVS二极管靠近需要保护的接口。
    2. 确保焊点的温度不超过最大焊接温度(260°C),以避免损坏。
    3. 在布局PCB时,考虑适当的接地设计,以更好地发挥ESD保护的作用。

    兼容性和支持


    - 封装形式:SOT-23,适合多种PCB设计。
    - 制造商支持:华宣阳电子提供技术支持,确保用户能够正确使用和维护该产品。此外,公司还提供了详尽的产品规格和测试报告。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何判断TVS二极管是否已失效?
    - 解决方案:可以通过测量其反向击穿电压和电容值来判断。如果这两个参数显著偏离规格,说明二极管可能已经损坏。

    2. 问题:焊接过程中如何防止温度过高?
    - 解决方案:严格控制焊接时间不超过10秒,确保焊接温度不超过260°C。可以使用专业的焊接设备和热风枪来实现这一点。

    总结和推荐


    综上所述,GL05T-HE3-18 ESD保护二极管是一款性能卓越的电子产品,适用于各种高速数据接口的保护需求。其独特的ESD防护能力、低钳位电压和泄漏电流使其在同类产品中具有明显的竞争优势。对于需要高可靠性的高速数据传输系统,我们强烈推荐使用此产品。

GL05T-HE3-18厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

GL05T-HE3-18数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 GL05T-HE3-18 GL05T-HE3-18数据手册

GL05T-HE3-18封装设计

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