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FDS3890

产品分类:
产品描述:
供应商型号: FDS3890 SO-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  FDS3890

FDS3890概述

    # FDS3890 双N沟道增强型MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型
    FDS3890 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD 生产的双N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款器件具有高效能和低功耗的特点,广泛应用于电池保护、负载开关及不间断电源系统等领域。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(ON)):提供优异的低导通电阻,有助于降低能耗。
    - 高可靠性:采用先进的沟槽技术,确保在各种条件下的稳定性和可靠性。
    - 宽泛的工作电压:能够承受高达60V的漏源电压,适用于多种电路设计。
    应用领域
    - 电池保护
    - 负载开关
    - 不间断电源(UPS)

    2. 技术参数


    基本规格
    - 型号: FDS3890
    - 封装: SOP-8
    - 品牌: HXY
    - 制造商: Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD
    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 单位 | 额定值 |

    | 漏源电压 | VDS | V | 60 |
    | 栅源电压 | VGS | V | ±20 |
    | 漏极电流 (TA=25°C) | ID | A | 6.5 |
    | 漏极电流 (TA=70°C) | ID | A | 5 |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | A | 30 |
    | 总功率损耗 (TA=25°C) | PD | W | 2.1 |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |

    | 栅体泄漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 导通电阻 (VGS=10V) | RDS(ON) | - | 32 | 36 | mΩ |
    | 导通电阻 (VGS=4.5V) | RDS(ON) | - | 34 | 48 | mΩ |
    | 输入电容 | CISS | - | 1920 | - | PF |
    | 输出电容 | COSS | - | 155 | - | PF |
    | 开关延迟时间 | td(on) | - | 8 | - | nS |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 29 | - | nS |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 50 | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 低导通电阻:RDS(ON) < 36mΩ @ VGS=10V 和 RDS(ON) < 48mΩ @ VGS=4.5V,极大地降低了功率损耗。
    - 宽泛的工作电压:60V 的漏源电压使该器件适用于多种应用场景。
    - 快速开关特性:开关延迟时间和关断延迟时间分别为8ns和29ns,保证了快速响应。
    市场竞争力
    - 优异的热管理:最大热阻为360℃/W,使得该器件能够在较高温度环境下稳定工作。
    - 高可靠性:采用先进的沟槽技术,确保长期可靠运行。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    - 电池保护:通过检测电池状态并控制充电和放电过程来保护电池。
    - 负载开关:用于控制高电流设备的开关操作,如电机驱动。
    使用建议
    - 并联使用:在需要更高电流的应用中,可以将多个FDS3890并联使用以提高整体电流处理能力。
    - 散热措施:在高电流和高温环境下工作时,需采取有效的散热措施以保持器件性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 与常见的SOP-8封装兼容,易于与其他电路板上的组件进行焊接连接。
    - 适用于多种电源管理和控制系统。
    支持
    - 厂商提供详尽的技术文档和测试电路,便于客户验证和应用。
    - 技术支持团队随时可提供技术支持和解答疑问。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:导通电阻过高
    解决方案:检查工作电压是否满足要求,确认VGS电压是否在额定范围内。
    问题2:发热严重
    解决方案:增加散热措施,例如使用散热片或者风扇,以降低工作温度。
    问题3:开关速度慢
    解决方案:检查电源电压是否足够,确认总栅极电荷是否符合要求。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    FDS3890 双N沟道增强型MOSFET凭借其低导通电阻、优异的热管理和快速的开关特性,在电池保护和负载开关等领域表现出色。其稳定的性能和可靠的热管理使其成为应用的理想选择。
    推荐
    鉴于FDS3890的各项优势,我们强烈推荐使用这款MOSFET在需要高效率和高性能的电源管理项目中。同时建议在应用过程中遵循相关安全指南,确保设备的稳定和安全运行。

FDS3890厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDS3890数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDS3890 FDS3890数据手册

FDS3890封装设计

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9000+ ¥ 4.5211
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