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GG060305100N2P

产品分类:
产品描述:
供应商型号: GG060305100N2P DFN0603-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 15000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  GG060305100N2P

GG060305100N2P概述


    产品简介


    GG060305100N2P ESD保护二极管是一款专为保护敏感半导体免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件影响而设计的产品。该二极管具有卓越的钳位能力、低泄漏电流和低电容,特别适用于暴露于ESD的应用。此外,它能够在一个双向线路上提供保护,即使在阵列布置不可行的情况下也能灵活应用。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 峰值脉冲功率(tp=8/20μs) | 90 | W |
    | 最大引线焊接温度(10秒内) | 260 | °C |
    | 存储温度范围 | -55 至 +150 | °C |
    | 操作温度范围 | -40 至 +125 | °C |
    | 最大结温 | 150 | °C |
    | ESD空气放电 | ±30 | kV |
    | ESD接触放电 | ±30 | kV |
    | 额定电压(最大) | 5.0 | V |
    | 反向漏电流(最大) | 1.0 | μA |
    | 击穿电压(典型) | 5.7 | V |
    | 浪涌电流(最大) | 9.0 | A |
    | 响应时间(典型) | < 1 | ns |
    | 电容(最大) | 8.0 | pF |

    产品特点和优势


    - 低泄漏电流:确保在正常操作时减少不必要的电流损耗。
    - 快速响应时间:<1ns的响应时间提供卓越的保护效果。
    - 高可靠性:符合RoHS要求且无卤素,是环保型产品。
    - 多功能保护:能够在双向线路上提供ESD保护,灵活性强。
    - 符合标准:满足IEC61000-4-2标准的第四级ESD保护。

    应用案例和使用建议


    应用案例:这款ESD保护二极管广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制等领域。例如,在智能家居设备中用于保护微处理器和传感器不受外部电磁干扰的影响。
    使用建议:
    - 在设计电路板时,考虑将该二极管放置在靠近输入接口的位置,以获得最佳保护效果。
    - 确保焊接温度不超过260°C,避免对二极管造成损害。
    - 注意避免使用峰值功率超过90W的浪涌电流,以免损坏二极管。

    兼容性和支持


    该ESD保护二极管与大多数常见的电路设计兼容。制造商提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够得到及时的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 电路出现异常波动 | 检查接地点是否正确连接,确保接地良好。 |
    | 器件响应时间变慢 | 检查焊接质量和焊接温度,避免过热导致性能下降。 |
    | 器件出现损坏 | 检查是否超过了额定工作条件,如温度和电流限制。|

    总结和推荐


    综上所述,GG060305100N2P ESD保护二极管以其出色的性能、低泄漏电流、快速响应时间和卓越的ESD防护能力,成为一款在多种应用场合下都非常实用的保护元件。特别是对于需要高度可靠性的应用场景,它能有效保护敏感电子设备免受ESD和其他电压瞬态事件的损害。因此,强烈推荐此产品给需要进行ESD防护的电子设备制造商和技术工程师。

GG060305100N2P厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

GG060305100N2P数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 GG060305100N2P GG060305100N2P数据手册

GG060305100N2P封装设计

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