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DMP2225LQ-7

产品分类:
产品描述:
供应商型号: DMP2225LQ-7 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  DMP2225LQ-7

DMP2225LQ-7概述

    # DMP2225LQ-7 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    DMP2225LQ-7 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD(HXYY)生产的 P-Channel Enhancement Mode MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有出色的 RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷以及在 1.8V 栅极电压下即可正常工作的特性。这种 MOSFET 主要用于脉宽调制(PWM)应用和负载开关领域,适用于多种工业和消费电子产品。

    技术参数


    以下是 DMP2225LQ-7 的关键技术和性能参数:
    - 主要参数
    - 漏源电压:VDS = -20V
    - 漏电流(连续):ID = -2.3A @ VGS = -4.5V
    - 漏电流(脉冲):IDM = -10A
    - 最大功率耗散:PD = 0.7W
    - 极限工作温度范围:TJ, TSTG = -55°C 至 150°C
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压:VDS = -20V
    - 栅源电压:VGS = ±12V
    - 栅体漏电流:IGSS = ±100nA @ VGS = ±12V, VDS = 0V
    - 典型电气特性
    - 导通电阻(RDS(ON)):VGS = -4.5V, ID = -2A 时 RDS(ON) = 115mΩ;VGS = -2.5V, ID = -1.8A 时 RDS(ON) = 152mΩ
    - 前向传输电导(gFS):VDS = -5V, ID = -2A 时 gFS = 4S
    - 输入电容(Ciss):VDS = -10V, VGS = 0V, F = 1.0MHz 时 Ciss = 285pF
    - 输出电容(Coss):Coss = 58pF
    - 反向转移电容(Crss):Crss = 32pF
    - 开关特性
    - 开启延迟时间:td(on) = 9.8ns
    - 开启上升时间:tr = 4.9ns
    - 关闭延迟时间:td(off) = 20.5ns
    - 关闭下降时间:tf = 7ns
    - 总栅极电荷:Qg = 2.9nC
    - 二极管特性
    - 二极管前向电压:VSD = -1.2V @ VGS = 0V, IS = -2A
    - 二极管前向电流:IS = -2.0A

    产品特点和优势


    DMP2225LQ-7 具备以下几个独特的优势:
    - 出色的导通电阻:RDS(ON) 在 VGS = -4.5V 时仅为 115mΩ,在 VGS = -2.5V 时为 152mΩ,这意味着在低电压操作时仍能保持较低的导通电阻。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷 Qg = 2.9nC,有助于提高电路效率并降低功耗。
    - 宽泛的工作温度范围:TJ, TSTG = -55°C 至 150°C,适合在极端环境条件下使用。
    - 紧凑封装:采用 SOT-23 封装,尺寸小,便于集成到空间受限的设计中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    DMP2225LQ-7 广泛应用于 PWM 应用和负载开关,例如:
    - 电机驱动器:利用其高耐压能力和低导通电阻来控制电机的启停和速度。
    - 电池管理系统:可用于保护电路中的电池组,防止过流和短路。
    - 电源管理:作为高效能的电源开关,实现电源管理和负载切换。
    使用建议
    - 温度管理:由于其工作温度范围较广,确保在设计时考虑散热措施,特别是在高温环境下。
    - 信号完整性:考虑到输入电容和输出电容的影响,应优化 PCB 布局以减少寄生电容对信号完整性的干扰。
    - 应用测试:在正式应用前,建议先进行详细的测试和验证,以确保器件在实际应用中的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    DMP2225LQ-7 支持与常见的电源管理和 PWM 控制器相兼容。Shenzhen HuaXuanYang Electronics 提供全面的技术支持,包括产品手册、技术文档和故障排查指南。如有任何疑问或技术支持需求,可联系当地的 HuaXuanYang 代表获取帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:在高电流下使用时,发热严重,导致温度过高。
    解决方案:在设计中加入有效的散热措施,如增加散热片、优化 PCB 散热路径或使用外部散热装置。同时,考虑使用具有更高额定功率的产品。
    问题2:开启和关闭时间较长,影响系统响应速度。
    解决方案:优化电路设计,减少负载和电缆长度,使用更低的栅极电荷器件。或者尝试更换为具有更优开关特性的 MOSFET。
    问题3:在高频应用中出现信号完整性问题。
    解决方案:调整 PCB 布局,减小引线长度,选择低杂散电容和低电感器件。使用屏蔽线缆,减少外界干扰。

    总结和推荐


    综上所述,DMP2225LQ-7 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 在PWM应用和负载开关方面表现出色。它具备优秀的导通电阻、低栅极电荷以及宽泛的工作温度范围。经过测试验证,该器件非常适合需要高效能和可靠性的应用场景。建议在设计过程中考虑其独特的特性和适用的应用案例,并结合实际使用环境进行详细评估。总的来说,DMP2225LQ-7 是一个值得推荐的产品。

DMP2225LQ-7厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

DMP2225LQ-7数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 DMP2225LQ-7 DMP2225LQ-7数据手册

DMP2225LQ-7封装设计

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