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NTJD5121NT1G

产品分类:
产品描述:
供应商型号: NTJD5121NT1G SOT-363-6
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  NTJD5121NT1G

NTJD5121NT1G概述

    # NTJD5121NT1G 双N沟道增强型MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTJD5121NT1G 是一款双N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的沟槽技术制造。它具有低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压操作能力。这款MOSFET适用于电池保护以及各种开关应用。它具备出色的电气特性和广泛的适用性,可以用于无线充电、升压驱动、无刷电机等多种领域。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏电流 (ID): 0.115A
    - 最大耗散功率 (PD): 0.15W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ,TSTG): -55°C 至 150°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient): 833°C/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 60V @ VGS=0V, ID=250µA
    - 栅阈电压 (Vth(GS)): 1V ~ 2.5V @ VDS=VGS, ID=250µA
    - 栅体漏电 (lGSS): ±80nA @ VDS=0V, VGS=±20V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): 80nA @ VDS=60V, VGS=0V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): < 3Ω @ VGS=10V
    - 转移电容 (Crss): 5pF @ VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz
    - 开关时间
    - 开启时间 (td(on)): 20ns
    - 关闭时间 (td(off)): 40ns @ VDD=25V, RL=50Ω, ID=500mA, VGEN=10V, G=25Ω

    3. 产品特点和优势


    NTJD5121NT1G 具备以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻: 最小导通电阻仅为3Ω,适合高效率的应用。
    - 低栅极电荷: 减少了驱动功率损耗,提高了整体效率。
    - 低工作电压: 可以在低至4.5V的栅极电压下工作,非常适合电池供电系统。
    - 宽工作温度范围: 从-55°C到150°C,适应多种环境需求。
    - 小尺寸封装: SOT-363 封装,便于集成和布局。
    这些特点使得 NTJD5121NT1G 在电池保护、无线充电和无刷电机等应用中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护:在便携式设备中,NTJD5121NT1G 可以用于电池保护电路,确保电池安全可靠运行。
    - 无线充电:可用于无线充电系统中的升压驱动部分,提高充电效率。
    - 无刷电机:在需要高精度控制的无刷电机应用中,NTJD121NT1G 的高速开关特性能够实现精准的电流控制。
    使用建议
    - 散热设计:由于其较小的热阻,需特别注意散热设计,避免长时间高负载工作导致过热。
    - 驱动电路:考虑到低栅极电荷的特点,选择合适的驱动电路,减少功率损耗。

    5. 兼容性和支持


    NTJD5121NT1G 与同类 SOT-363 封装的 MOSFET 兼容,方便替换。厂商提供详细的使用指南和技术支持,有助于用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    - 问题: 过高的温度导致性能下降
    - 解决办法: 确保良好的散热措施,如添加散热片或改进PCB布局,提高热传导效率。

    - 问题: 开关速度慢导致损耗增加
    - 解决办法: 检查驱动电路的设计,优化栅极电阻以加快开关速度。

    7. 总结和推荐


    NTJD5121NT1G 是一款高性能、多功能的双N沟道增强型MOSFET,适用于多种电子应用场合。其出色的电气特性和广泛的工作温度范围使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐此产品给需要高效率、低功耗电子设备的设计者和工程师们。

NTJD5121NT1G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTJD5121NT1G数据手册

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NTJD5121NT1G封装设计

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