处理中...

首页  >  产品百科  >  UDD32C03L01-IR0.1

UDD32C03L01-IR0.1

产品分类:
产品描述:
供应商型号: UDD32C03L01-IR0.1 SOD-323
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  UDD32C03L01-IR0.1

UDD32C03L01-IR0.1概述

    # UDD32C03L01-IR0.1 技术手册解读

    产品简介


    UDD32C03L01-IR0.1 是由深圳华宣阳电子有限公司生产的瞬态电压抑制二极管(TVS)。该产品主要用于保护敏感的半导体组件免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压事件引起的损害。其具备出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间,能够为暴露在 ESD 环境下的设计提供最佳保护。特别适用于单向线路上的保护,在阵列保护不切实际的应用中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 峰值脉冲功率 (tp = 8/20 µs) | 400 | W |
    | 最大引脚焊接温度 (10s) | 260 | °C |
    | 存储温度范围 | -55 到 +155 | °C |
    | 操作温度范围 | -40 到 +125 | °C |
    | 最大结温 | 150 | °C |
    | IEC61000-4-2 (ESD) 空气放电 | ±10 | KV |
    | IEC61000-4-2 接触放电 | ±15 | KV |
    此外,该产品还具有以下电气特性:
    - 额定峰值反向工作电压(VRWM):3.3 V
    - 反向漏电流(IR):1.0 µA @ VRWM
    - 击穿电压(VBR):5.4 V @ IT
    - 浪涌电流(IPP = 20 A)时的钳位电压(VC):≤ 1.0 V

    产品特点和优势


    - 超低电容:1 pF,有助于保持信号完整性。
    - 低钳位电压:有效减少电压尖峰对下游电路的影响。
    - 低封装高度:0.016 英寸(0.4 mm),适合空间受限的设计。
    - 高电容耐压:3.3 V,适应多种应用场景。
    - 快速响应时间:通常 < 1.0 ns,确保及时保护。
    - 符合 IEC61000-4-2 Level 4 ESD 保护标准:提供高水平的 ESD 保护。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品常用于各种需要 ESD 保护的应用中,如消费电子、工业控制、汽车电子等。例如,在智能手表、智能手机等便携式设备中,可以有效保护 USB 接口免受 ESD 攻击。
    使用建议
    - 在电路设计时,确保将 UDD32C03L01-IR0.1 尽可能靠近被保护线路安装,以减少寄生电感和电容。
    - 在焊接过程中,确保焊接温度不超过最大限制值(260°C)以防止损坏。

    兼容性和支持


    该产品采用 SOD-323 封装,与大多数常见的 PCB 设计兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括安装指南、常见问题解答和客户支持。购买者可以通过官方网站联系技术支持团队,以获取进一步的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定产品的最佳安装位置?
    - 解决方案:最好将 UDD32C03L01-IR0.1 安装在尽可能靠近被保护线路的地方,以减少寄生电感和电容。
    2. 问题:焊接过程中应注意哪些事项?
    - 解决方案:焊接温度不应超过 260°C,避免长时间高温焊接。
    3. 问题:如何测试产品的钳位电压?
    - 解决方案:参考 IEC61000-4-2 标准进行测试,具体测试步骤见产品手册中的相关章节。

    总结和推荐


    UDD32C03L01-IR0.1 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管,具备出色的 ESD 保护能力和优异的电气特性。其小巧的封装和灵活的安装方式使其广泛适用于各种需要 ESD 保护的应用场景。综合考虑其性能和成本效益,强烈推荐在设计中使用此产品。

UDD32C03L01-IR0.1厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

UDD32C03L01-IR0.1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 UDD32C03L01-IR0.1 UDD32C03L01-IR0.1数据手册

UDD32C03L01-IR0.1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.1878
9000+ ¥ 0.1847
15000+ ¥ 0.18
库存: 300000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 563.4
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
#636CY-470M=P3 ¥ 14.2296
0.731.301 ¥ 980.0982
0.87.0023.0 ¥ 113.6533
0.87.0033.0 ¥ 474.4184
0.87.0055.0 ¥ 33.4765
0.891.606 ¥ 484.9515
0.891.607 ¥ 484.9515
00 21 02 EL ¥ 5164.7191
00 21 36 LE ¥ 4503.9297
000648 ¥ 606.879