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IGLR60R260D1

产品分类:
产品描述:
供应商型号: IGLR60R260D1 DFN5X6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  IGLR60R260D1

IGLR60R260D1概述

    # IGLR60R260D1 650V GaN-on-Silicon Enhancement-mode Power Transistor

    产品简介


    IGLR60R260D1是一款由深圳市华轩阳电子有限公司制造的增强型氮化镓(GaN)功率晶体管,封装形式为双扁平无引脚封装(DFN),尺寸为5mm x 6mm。这种增强型晶体管通常处于关闭状态,可以用作高效的电源开关。该产品广泛应用于交流-直流转换器、直流-直流转换器、顶点式功率因数校正、快速电池充电及高密度、高效率电力转换等场合。

    技术参数


    极限参数
    - 最大漏源电压:650V(当VGS=0V时)
    - 脉冲漏源电压:750V(仅限于tPulse < 1µs的瞬态事件)
    - 持续工作电流:10A(当Tc=25℃时)
    - 脉冲工作电流:18A(当Tc=25℃且VG=6V时)
    热特性
    - 结壳热阻:1.65°C/W
    - 最大回流焊接温度:260°C(MSL3)
    电气特性
    - 栅极开启电压:1.2V至2.5V(当ID=11mA且Tj=25℃时)
    - 漏源导通电阻:160mΩ至200mΩ(当VGS=6V且ID=3A时)
    - 输入电容:83pF(当VGS=0V且VDS=400V时)
    其他特性
    - 无反向恢复电荷
    - 低栅极电荷和输出电荷
    - 符合工业应用的JEDEC标准
    - 通过RoHS认证,无铅,符合REACH要求

    产品特点和优势


    IGLR60R260D1具有以下显著优势:
    1. 超高速开关能力:得益于GaN材料的独特性质,这款晶体管能够实现极高的开关频率,从而提高电力转换效率。
    2. 无反向恢复电荷:减少了逆变器设计中的损耗,进一步提升能效。
    3. 低电荷损耗:栅极和输出电荷低,减少不必要的能量损失。
    4. 良好的热管理能力:低热阻确保长时间稳定工作,降低过热风险。
    5. 高可靠性:通过多项认证和测试,适用于严苛的工业环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - AC-DC转换器:可用于手机、笔记本电脑等便携式设备的适配器。
    - DC-DC转换器:适合于各类通信设备,提供稳定的电力供应。
    - 快速电池充电:如电动汽车充电站,缩短充电时间,提高用户体验。
    - 高密度电力转换:适用于数据中心,降低体积和重量。
    使用建议
    - 在高频应用中,选择合适的驱动电路以确保栅极电压的稳定控制。
    - 考虑到高温环境下工作可能对性能产生影响,建议在设计中加入散热措施。
    - 由于其高速开关特性,应特别注意PCB布局以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - IGLR60R260D1与其他常见的GaN功率晶体管具有良好的兼容性,便于系统集成。
    - 厂商提供全面的技术支持,包括产品规格书、应用指南和技术文档等。
    - 客户可直接联系深圳华轩阳电子公司的销售办事处获取更详细的支持信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何处理栅极噪声?

    解决方案:在PCB设计中采用适当的去耦电容和接地策略来减小噪声干扰。
    2. 如何防止过温损坏?

    解决方案:在设计中加入有效的热管理系统,如散热片或风扇,保持工作温度在安全范围内。
    3. 如何确保栅极电荷足够低?

    解决方案:选择合适的栅极驱动电路,以实现快速而可靠的开关操作,同时确保栅极电荷尽可能低。

    总结和推荐


    IGLR60R260D1凭借其高效率、低损耗、高可靠性的特点,在电力转换领域具有显著的优势。它适用于多种高频、高效率的应用场景,尤其在快速电池充电、高密度电力转换等方面表现出色。尽管其成本相对较高,但考虑到长期运行的能效提升,仍是一个值得推荐的产品。如果您需要一款高性能、高可靠性的GaN功率晶体管,IGLR60R260D1无疑是您的理想选择。

IGLR60R260D1厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IGLR60R260D1数据手册

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IGLR60R260D1封装设计

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