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ZMY5.6G

产品分类:
产品描述:
供应商型号: ZMY5.6G DO-213AB
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  ZMY5.6G

ZMY5.6G概述

    ZMY5.6G 硅外延平面齐纳二极管技术手册

    1. 产品简介


    ZMY5.6G 是由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD(华宣阳电子)生产的硅外延平面齐纳二极管。这种齐纳二极管主要用于稳定和钳位电路,在高功率应用中表现优异。其标准齐纳电压容差为±10%,适用于需要高可靠性的各种电路设计。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 功耗 | P | 1 | W |
    | 工作结温 | Tj | 175 | ℃ |
    | 存储温度范围 | Tstg | -65 ~ +175 | ℃ |
    | 热阻(结至环境) | RθJA | 170 | ℃/W |
    | 正向电压 | VF | 1.2 | V |
    | 齐纳电压(IZT时) | VZ@IZT(V) | 5.6 | V |
    | 动态电阻(IZT时) | ZZT@IZT | 5.04 | Ω |
    | 最大浪涌电流 | IZSM | 1 | A |
    | 最大调节电流 | IZM | 10 | mA |

    3. 产品特点和优势


    ZMY5.6G 硅外延平面齐纳二极管具有以下特点和优势:
    - 高可靠性:在高功率应用中表现出色,具有优异的稳定性和钳位性能。
    - 宽工作温度范围:可以在 -65℃ 至 +175℃ 的极端环境中稳定工作。
    - 低热阻:热阻为 170 ℃/W,确保在高温条件下也能保持良好的散热性能。
    - 高精度齐纳电压:标准齐纳电压容差为±10%,保证了高精度和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    ZMY5.6G 齐纳二极管广泛应用于各类电源稳压电路、信号保护电路和过压保护电路。以下是几个实际应用示例:
    - 电源稳压电路:用于电路板上的稳压环节,确保电源电压的稳定性。
    - 信号保护电路:在传感器或通信模块中使用,防止过压对电路的损坏。
    - 过压保护电路:为设备提供过压保护,避免因电压过高导致的损坏。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保工作温度不超过 175℃,以延长使用寿命。
    - 考虑到动态电阻的影响,建议选择合适的齐纳电流以确保最佳的电压稳定效果。
    - 定期检查电路板上的其他元器件,确保整体电路的正常运行。

    5. 兼容性和支持


    ZMY5.6G 硅外延平面齐纳二极管采用 LL-41(DO-213AB) 封装形式,易于集成到现有的电路设计中。华宣阳电子提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询等。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 齐纳电压不稳定 | 检查齐纳电流是否符合要求,调整负载电阻值。 |
    | 热稳定性差 | 确保散热良好,必要时增加散热片。 |
    | 功耗过高 | 检查电路设计,确保不超出最大功耗限制。 |

    7. 总结和推荐


    ZMY5.6G 硅外延平面齐纳二极管是一款高性能、高可靠的稳压和保护元器件。它具有出色的耐热性能和稳定的齐纳电压,适用于多种高功率应用场合。总体来说,这款产品值得推荐使用,尤其是在需要高精度和稳定性的电路设计中。

ZMY5.6G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZMY5.6G数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZMY5.6G ZMY5.6G数据手册

ZMY5.6G封装设计

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