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HI6908

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HI6908 SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HI6908

HI6908概述

    HI6908 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HI6908 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。它适用于负载开关和脉冲宽度调制(PWM)应用,可用于电池保护系统、不间断电源以及其他需要高效能的应用场景。此器件采用先进的沟槽工艺制造,具有出色的导通电阻和耐用性。

    2. 技术参数


    HI6908 的关键技术参数如下:
    - 最大漏源电压 (VDS):60V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):5A
    - 脉冲漏电流 (IDM):30A
    - 最大功耗 (PD):3W
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 至 150°C
    - 热阻 (RθJA):73°C/W
    - 漏源导通电阻 (RDS(ON)):49mΩ(VGS=10V, ID=5A)
    - 总栅电荷 (Qg):14nC(VDS=30V, ID=4.5A, VGS=10V)

    3. 产品特点和优势


    HI6908 的主要特点和优势包括:
    - 低导通电阻 (RDS(ON)):49mΩ(典型值),适合需要高效率的场合。
    - 高可靠性和耐用性:通过先进的沟槽工艺提高耐用性,适合工业和消费电子产品。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 150°C,确保在极端环境下稳定运行。
    - 快速开关特性:例如,关断延迟时间仅为 16.1ns,适用于高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    HI6908 可用于多种应用场合,包括:
    - 电池保护:通过低导通电阻实现高效的电池保护。
    - 负载开关:适用于各种工业和消费电子产品中的负载管理。
    - 脉冲宽度调制 (PWM) 应用:适合需要高速开关特性的应用。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合额定值,避免过压和过流。
    - 使用散热片以降低工作温度,提高可靠性。
    - 考虑电路布局,确保信号完整性。

    5. 兼容性和支持


    HI6908 的封装为 SOT-23,可以与其他同类型封装的产品兼容。Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 提供详尽的技术支持和维护服务,确保客户在使用过程中能够获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过高的栅极电压会导致损坏
    - 解决办法:保持栅极电压在±20V 以内,使用适当的栅极驱动电路。

    - 问题:工作温度超出推荐范围
    - 解决办法:增加散热措施,如使用散热片或散热器。

    - 问题:长时间工作导致的温度升高
    - 解决办法:考虑使用外部冷却方法,确保不超过最大温度限制。

    7. 总结和推荐


    综上所述,HI6908 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具备低导通电阻、宽工作温度范围和高可靠性等优点,适用于多种应用场景。推荐在需要高效能和高可靠性的场合使用。然而,在使用过程中需要注意严格遵守额定值,以确保最佳性能和安全性。

HI6908厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HI6908数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HI6908 HI6908数据手册

HI6908封装设计

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