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HESDNC36VU1EL-B

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HESDNC36VU1EL-B SOD-323
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HESDNC36VU1EL-B

HESDNC36VU1EL-B概述

    HESDNC36VU1EL-B ESD保护二极管技术手册

    产品简介


    HESDNC36VU1EL-B是一款高性能ESD保护二极管,适用于各类敏感电子设备和电路的保护。该二极管采用小型封装,具有低功耗和快速响应时间等特点。它主要应用于通信、消费电子、工业控制等领域,可以有效防止静电放电(ESD)和其他电压瞬变事件对电路元件造成的损害。

    技术参数


    以下是HESDNC36VU1EL-B的主要技术参数:
    | 参数 | 描述 | 单位 |
    |
    | 峰值脉冲功率 (IPP) | 最大峰值脉冲功率 | W |
    | 绝缘耐压 (VRWM) | 绝缘电阻的最大工作电压 | V |
    | 反向电流 (IR) | 反向电压下的漏电流 | μA |
    | 击穿电压 (VBR) | 电流测试条件下的击穿电压 | V |
    | 穿透电压 (VC) | 最大峰值电流下的穿透电压 | V |
    | 电容 (C) | 电容值 | pF |
    | 工作温度范围 (Tamb) | 额定工作温度范围 | °C |
    | 存储温度范围 (Tstg) | 存储温度范围 | °C |
    | 绝缘等级 (ESD) | IEC61000-4-2和IEC61000-4-4标准
    - IPP: 300 W
    - VRWM: 36 V
    - IR: 63 μA
    - VBR: 38 V
    - VC: 450 V
    - C: 1.0 pF
    - Tamb: -40°C 到 +125°C
    - Tstg: -55°C 到 +150°C
    此外,该产品符合RoHS标准,并通过了IEC61000-4-2和IEC61000-4-4标准的ESD和EFT保护认证。

    产品特点和优势


    HESDNC36VU1EL-B的主要特点和优势如下:
    - 小尺寸设计: 小型封装,适合紧凑布局的设计需求。
    - 低功耗和低漏电: 具有优秀的钳位能力和低泄漏电流,特别适合需要长时间稳定工作的场合。
    - 快速响应: 响应时间小于1纳秒,确保在瞬变事件发生时能够迅速反应。
    - 高ESD保护等级: 符合IEC61000-4-2和IEC61000-4-4标准,提供高可靠性保护。
    - 出色的钳位能力: 在高压瞬变下能有效限制电压,减少对后级电路的冲击。
    这些特点使其在众多应用中表现出色,特别是在对抗ESD和其他电压瞬变方面具有显著优势。

    应用案例和使用建议


    HESDNC36VU1EL-B广泛应用于多种电子设备中,如智能手机、平板电脑、网络设备和工业控制系统等。具体应用场景包括:
    - 通信设备: 保护线路卡上的敏感组件免受ESD影响。
    - 消费电子: 用于手机、平板电脑和其他便携式设备的接口保护。
    - 工业控制: 在复杂工业环境中提供可靠保护。
    使用建议:
    - 布局建议: 在PCB设计时,确保保护二极管与被保护电路之间的布线尽可能短,以减少寄生电感的影响。
    - 热管理: 虽然该产品具有良好的热稳定性,但在高功率脉冲情况下仍需注意散热设计。
    - 系统验证: 在批量生产前,务必对产品进行详细测试,确保在实际工作环境中表现良好。

    兼容性和支持


    HESDNC36VU1EL-B与大多数常见的电子设备和电路兼容。生产厂家提供了详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利完成产品集成和调试过程。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 产品在高温环境下性能不稳定。
    - 解决方案: 确保安装过程中遵循推荐的焊接温度和时间限制,避免过热。

    - 问题2: 在某些应用中发现漏电流偏大。
    - 解决方案: 检查是否有外部因素导致漏电流增加,如外部干扰或PCB设计不当。如有必要,重新设计电路并调整布局。

    总结和推荐


    HESDNC36VU1EL-B是一款性能卓越的ESD保护二极管,具有小型化、低功耗、快速响应等优点,非常适合需要高度可靠的ESD保护的应用场景。考虑到其出色的表现和广泛的应用领域,强烈推荐给所有需要此类保护的用户。同时,建议在设计和集成过程中严格遵守产品说明书中提供的指导和建议,以确保最佳效果。

HESDNC36VU1EL-B厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESDNC36VU1EL-B数据手册

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HESDNC36VU1EL-B封装设计

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