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HD5158

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HD5158 TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HD5158

HD5158概述

    HD5158 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HD5158 是一款由深圳华宣阳电子有限公司(HXYY)生产的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽技术,提供了出色的 RDS(ON)(漏源导通电阻)、低栅极电荷以及最低可至 4.5V 的门限电压操作能力。HD5158 主要适用于电池保护和开关应用等领域,例如不间断电源系统、负载开关等。

    技术参数


    以下是 HD5158 的关键技术和性能参数:
    - 额定电压:20V (VDS)
    - 连续电流:60A (ID)
    - 最大电流(在 TC=100℃ 时):42A (ID)
    - 峰值脉冲电流:210A (IDM)
    - 最大功率耗散:60W (PD)
    - 单次脉冲雪崩能量:200mJ (EAS)
    - 绝对最大结温及存储温度范围:-55°C 至 150°C (TJ, TSTG)
    - 热阻(结至外壳):2.1°C/W (RθJCE)

    产品特点和优势


    - 先进的沟槽技术:提供出色的 RDS(ON),确保低损耗和高效率。
    - 低门限电压操作:支持 4.5V 门限电压,使得器件可以在低压环境中运行。
    - 低栅极电荷:优化了动态响应,减少能耗。
    - 广泛的应用范围:适用于多种电子设备和系统,如电池保护和负载开关等。

    应用案例和使用建议


    应用案例:HD5158 可用于电池保护电路中,以防止过流和短路。此外,它还适用于负载开关和不间断电源系统等应用场景。
    使用建议:
    1. 在使用 HD5158 之前,请确保了解其最大额定值,并避免超过这些值。
    2. 在高温环境下使用时,需注意散热,保证器件在安全范围内工作。
    3. 设计电路时,建议结合实际应用场景,适当调整外部电阻和电容值,以优化性能。

    兼容性和支持


    HD5158 采用 TO252-2L 封装,便于焊接和安装。官方提供了详细的安装指南和应用支持文档,确保用户能够顺利集成到其项目中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作过程中出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或风扇,确保工作温度不超过安全范围。
    2. 问题:输出电流不稳定。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确保电源稳定,并适当调整外围元件的参数。
    3. 问题:栅极电荷过高导致性能下降。
    - 解决方案:选择合适的驱动电路或降低驱动频率,减少栅极电荷积累。

    总结和推荐


    HD5158 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,具有出色的性能和广泛的适用范围。通过其先进的沟槽技术和低栅极电荷设计,可以显著提高系统的整体效率。考虑到其在电池保护和负载开关中的广泛应用,HD5158 成为了许多设计项目的理想选择。然而,使用时务必遵循手册中的注意事项,确保安全可靠的应用。
    总的来说,我们强烈推荐 HD5158 在各类电子设备和系统中使用,特别是那些需要高效和稳定工作的应用场合。

HD5158厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HD5158数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HD5158 HD5158数据手册

HD5158封装设计

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