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HXY15P06DF

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HXY15P06DF DFN3X3-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HXY15P06DF

HXY15P06DF概述

    HXY15P06DF P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    HXY15P06DF 是由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 生产的一款高性能P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品采用先进的沟槽技术,具备低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷等特性。HXY15P06DF 主要适用于电池保护、负载开关和不间断电源等领域。

    2. 技术参数


    - 主要

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):-60V
    - 连续漏电流(ID):-15A @ TC=25℃
    - 导通电阻(RDS(ON)):85mΩ @ VGS=10V
    - 门源电压(VGS):±20V
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C 至 150°C
    - 工作结温范围(TJ):-55°C 至 150°C
    - 热阻(RθJA):162°C/W
    - 总功率耗散(PD):25W

    3. 产品特点和优势


    HXY15P06DF 的主要优势在于其出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。这些特性使其非常适合于电池保护和负载开关等应用场景。此外,该产品具有较低的工作温度范围和较高的存储温度范围,能够在极端环境下稳定工作。先进的沟槽技术还提高了其可靠性和使用寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    HXY15P06DF 在以下应用中表现优异:
    - 电池保护:适用于各种便携式设备中的电池保护电路,确保电池在异常情况下不会受损。
    - 负载开关:可用于控制设备内部的电源供应,提高系统的可靠性。
    - 不间断电源:在UPS系统中作为开关组件,提供稳定的电力供应。
    使用建议:
    - 确保在使用过程中遵循额定值限制,避免过载运行。
    - 使用合适的散热设计,以保持适当的温度。
    - 对于复杂的应用场景,进行详细的电气和热力学仿真,以验证其性能。

    5. 兼容性和支持


    HXY15P06DF 可与其他电子元件或设备兼容使用。Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 提供技术支持和服务,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。详细的技术文档和应用指南可以在其官方网站 www.hxymos.com 上找到。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET 过热。
    - 解决方案:检查电路设计,确保适当的散热措施,并根据需要增加散热器。
    - 问题2:栅极泄漏电流过大。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,必要时更换栅极驱动器。
    - 问题3:输出电流不稳。
    - 解决方案:检查负载条件,确保电源和负载之间的连接稳定,并检查是否有外部干扰。

    7. 总结和推荐


    总体而言,HXY15P06DF 是一款高性能、可靠的P沟道增强型MOSFET,特别适合用于电池保护和负载开关等应用。其低导通电阻和低栅极电荷的特点使其在多种应用场景中表现出色。对于需要高性能和可靠性的工程师来说,HXY15P06DF 是一个不错的选择。如果能合理选择并配置相关的散热设计,其表现会更加出色。

HXY15P06DF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY15P06DF数据手册

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HXY15P06DF封装设计

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