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HI5105-F

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HI5105-F SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HI5105-F

HI5105-F概述

    HI5105-F P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    HI5105-F 是一款 P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET),由深圳华宣阳电子有限公司生产。该产品采用先进的沟槽技术制造,具备极低的导通电阻(RDS(ON) < 140mΩ@VGS=-4.5V),能够在最低 1.8V 的栅极电压下正常工作。该器件适用于脉宽调制(PWM)电路和负载开关的应用场景,能够提供高效的电能管理和信号传输能力。

    技术参数


    以下是 HI5105-F 的关键技术和性能指标:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 栅源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=-250µA | -20 V |
    | 栅漏电流 | IGSS | VGS=±12V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 导通状态电阻 | RDS(ON) | VGS=-4.5V,ID=-2A | 140 162 | mΩ |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=-250µA | -0.4 | -0.7 | -1 | V |
    | 开启延迟时间 | td(on) | VDD=-10V,RL=5Ω,VGS=-4.5V 9.8 ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | VDD=-10V,RL=5Ω,VGS=-4.5V 20.5 ns |
    | 最大连续漏极电流 | ID -2.3 A |
    | 最高耗散功率 | PD 0.7 W |
    | 工作温度范围 | TJ,TSTG -55 150 | ℃ |

    产品特点和优势


    HI5105-F 的核心优势包括:
    1. 低导通电阻(RDS(ON)):在 -4.5V 栅极电压下的典型值仅为 140mΩ,适合高效能电路设计。
    2. 低功耗运行:由于栅极电荷(Qg)较低,有效减少了开关损耗,提升了整体能效。
    3. 低驱动电压:最低工作电压仅为 1.8V,可兼容多种低压电源系统。
    4. 高可靠性:在 -55 至 +150℃ 的温度范围内表现出色,适合恶劣的工作环境。
    这些特性使其在负载开关和 PWM 控制等领域具有显著的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    HI5105-F 的典型应用包括:
    1. 负载开关:用于需要精确控制和高效电能管理的场合。
    2. PWM 应用:适用于电机控制、LED 驱动等需要高速切换的场景。
    使用建议:
    - 确保栅极驱动电压低于最大额定值(-12V),避免器件损坏。
    - 使用推荐的 SOT-23 封装时,建议焊盘设计优化以提升热稳定性。
    - 在高频开关应用中,注意 PCB 布局以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    HI5105-F 具备良好的兼容性,可与其他标准 SOT-23 封装的器件互换使用。深圳华宣阳电子有限公司为客户提供全面的技术支持,包括样品申请、定制化服务及售后保障。此外,厂商承诺提供详细的设计指南和失效模式分析文档,以帮助客户快速集成到其产品中。

    常见问题与解决方案


    以下是用户常见的疑问及解决方案:
    1. 问题:器件过热导致失效?
    - 解决方法:检查散热设计是否合理,必要时增加外部散热片。
    2. 问题:开关速度不满足需求?
    - 解决方法:调整栅极驱动电阻值,确保 Qg 充电效率最优。
    3. 问题:无法达到标称 RDS(ON) 值?
    - 解决方法:检查测试条件是否符合要求(如 VGS 和 ID 参数)。

    总结和推荐


    总体来看,HI5105-F 是一款高性能、高可靠性的 P 沟道 MOSFET,尤其适合于对功耗和效率要求较高的场景。其紧凑的 SOT-23 封装便于嵌入式设计,同时具备广泛的温度适应能力。结合深圳华宣阳电子有限公司的优质售后服务,这款器件是工程师的理想选择。推荐指数:⭐️⭐️⭐️⭐️⭐️

    如果您正在寻找一款高效能且灵活的 MOSFET 解决方案,HI5105-F 完全值得考虑!

HI5105-F厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HI5105-F数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HI5105-F HI5105-F数据手册

HI5105-F封装设计

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